Схемотехника аналоговых электронных устройств. Бессчетнова Л.В. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

нелинейных искажений. Напряжение питания одного плеча
.2,1
кэок
UЕ =
Напряжение источника питания
.2
к
ЕЕ
=
Ток покоя коллек-
тора
.)05,0...03,0(
maxкко
II =
Руководствоваться указаниями [3], c. 10–13, рис. 3, а, б.
Рис. 1. Бестрансформаторный оконечный каскад, работающий в режиме АВ
Таблица 1
Варианты Тип транзистора VT1 Тип транзистора VT2 P
2
, Вт R
н
, Ом f
н
, Гц М
нс
00 КТ503А КТ502А 0,4 10 60 1,04
01 КТ503Б КТ502Б 0,45 15 70 1,05
02 КТ503В Кт502В 0,5 12 40 1,03
03 КТ503Г Кт502Г 0,65 18 50 1,05
04 КТ503Д КТ502Д 0,70 16 40 1,02
05 КТ503Е КТ502Е 0,75 14 60 1,04
06 КТ815А КТ814А 0,80 18 40 1,03
07 КТ715Б КТ814Б 0,85 16 80 1,02
08 КТ815Б КТ814Б 0,90 12 70 1,04
09 КТ815Б КТ814Б 0,95 18 60 1,05
10 КТ815Б КТ814Б 1,10 10 50 1,03
11 КТ815В КТ814В 1,15 15 40 1,06
12 КТ815В КТ814В 1,20 16 70 1,03
13 КТ815Б КТ814Б 1,25 12 60 1,04
14 КТ815Б КТ814Б 1,30 14 40 1,05
15 КТ815В КТ814В 1,40 10 50 1,06
16 КТ815В КТ814В 1,50 18 60 1,05
17 КТ815Б КТ814Б 1,60 20 40 1,06
18 КТ815Б КТ814Б 1,70 16 60 1,04
19 КТ815В КТ814В 1,85 14 50 1,03
20 КТ815В КТ814В 2,00 15 40 1,06
21 КТ815Б КТ814Б 2,50 18 60 1,05
22 КТ815Б КТ814Б 3,00 16 70 1,03
23 КТ815Б КТ814Б 3,20 12 30 1,06
24 КТ815В КТ814В 3,50 10 10 1,05
25 КТ815В КТ814В 3,75 12 50 1,06
26 КТ815В КТ814В 3,10 10 60 1,03
27 КТ815Б КТ814Б 2,25 15 40 1,06
28 КТ815Б КТ814Б 2,75 12 70 1,02
29 КТ815Б КТ814Б 4,00 10 50 1,6
10

Страницы