Схемотехника аналоговых электронных устройств. Бессчетнова Л.В - 60 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

59
3.3. Первичные параметры транзистора и методы расчета
технических показателей каскада для включения ОБ, ОЭ, ОК
Параметры четырехполюсника (которые в применении к транзистору
могут быть названы его вторичными параметрами) имеют для схем вклю-
чения ОБ ,ОЭ ,ОК различные значения и в этом заключается неудобство
их использования. Между тем свойства транзистора как усилительного
элемента могут (помимо параметров четырехполюсника) характеризо-
ваться следующими, не зависящими от схемы его включения, первичными
параметрами, такими как:
1.
Сопротивление эмиттера r
э
, представляющее собой сопротивле-
ние эмиттерного p-n – перехода в направлении его проводимости.
2.
Сопротивление коллектора r
к
, представляющее собой сопротив-
ление коллекторного p-n – перехода в направлении, противополож-
ном направлению проводимости.
3.
Сопротивление базы r
б
, представляющее собой сумму объемного
сопротивления базы r′
б
в области между p-n – переходами и выво-
дом базы и диффузионного сопротивления базы r′′
б
, обусловленного
влиянием напряжения коллекторного p-n – перехода на эмиттерный.
4.
Сопротивление усиления или сопротивление эквивалентного
генератора r
г
, связывающее ток эмиттера (управляющий ток) с
ЭДС эквивалентного генератора.
Для частот звукового диапазона первичные параметры транзистора
можно считать активными сопротивлениями, не зависящими от частоты.
Имея в виду использование характеристик транзистора в пределах их ли-
нейных участков, будем считать указанные параметры постоянными ве-
личинами (параметры малых сигналов).
Первичные параметры маломощных транзисторов (
для которых обыч-
но и применяются параметры малых сигналов) имеют следующий поря-
док: r
к
– сотни килоом; r
г
– тот же порядок, что и r
к
(оно меньше r
к
на не-
сколько процентов); r
б
– сотни ом; r
э
– единицы или десятки ом.
Для расчета транзисторного каскада при включении транзистора по
схемам ОБ, ОЭ и ОК будем использовать метод определения первичных
параметров (общих для трех схем включения) с последующим вычислени-
ем технических показателей каскада посредством трех комплектов рас-
четных формул для схем ОБ, ОЭ и ОК.
При составлении схем
замещения транзистора для различных его
включений необходимо учитывать следующее:
а) сопротивление электрода, являющегося в данной схеме включения об-
щим и обуславливающее связь между выходной и входной цепями, долж-
но находиться в поперечной ветви Т-образной схемы, так как это сопро-

Страницы