Составители:
91
Эти выражения получаются на основе решения диффузионного уравнения
полупроводникового диода [1]. Из приведенных выражений видно, что
ток I
кн
удваивается (для германиевых транзисторов) или утраивается (для
кремниевых) при повышении температуры на каждые десять градусов.
Для кремниевых транзисторов величина I
кн
значительно меньше, чем для
германиевых.
u
кэ
i
к
I
к0
i
б5
i
б4
i
б3
=I
б0
i
б2
i
б1
0
р.т.
а)
U
кэ0
Е
к
u
кэ
i
к
I
к0
i
б5
i
б4
i
б3
=I
б0
i
б2
i
б1
0
р.т.
б)
U
кэ0
Е
к
u
кэ
i
к
I
к0
i
б5
i
б4
i
б3
=I
б0
i
б2
i
б1
0
р.т.
в)
U
кэ0
Е
к
Рис. 5.3. Изменение положения рабочей точки при изменении
температуры: а - номинальная температура t
0
; б - минимальная
температура t
min
; в -максимальная температура t
max
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 88
- 89
- 90
- 91
- 92
- …
- следующая ›
- последняя »
