ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
93
Анодное растворение арсенида галлия р-типа. Влияние на кинетику
анодного растворения полупроводника состава раствора, его рН, поверх-
ности анода. Наклон анодных кривых. Выход по току, порядок реакции
по ОН-ионам. Механизм анодного растворения арсенида галлия.
Анодное растворение арсенида галлия n-типа. Торможение анодно-
го процесса, его зависимость от концентрации донорной примеси, кри-
сталлографической ориентации, освещения, состава раствора. Эмпириче-
ская взаимосвязь: а) наклона анодных кривых и тока обмена с концен-
трацией носителей, б) анодного тока с перенапряжением.
Анодное растворение других соединений: А
III
В
V
(фосфидов галлия
и индия, арсенида индия, антимонидов галлия и индия), соединений
А
II
В
VI
, халькогенидов элементов II, III и IV групп.
3.4. Природа предельного анодного тока
Существующие теории униполярной проводимости контакта по-
лупроводника с электролитом, металлом; их несогласованность с экс-
периментом. Основные положения эстафетной теории переноса тока на
контакте и в полупроводнике. Роль хемосорбция кислорода на поверх-
ности полупроводника и многоступенчатой ионизации атомов донорной
примеси в ОПЗ на эстафетный переход электронов из электролита и
валентной зоны в зону проводимости. Согласие теории с эксперимен-
том.
3.5. Анодирование полупроводников
Введение. Основные понятия, термины. Историческая справка. Зна-
чение и применение анодирования полупроводников.
Общие закономерности анодирования. Общий вид анодной кри-
вой I–E, отражающий стадии активации и пассивации. Виды и причины
пассивации и транспассивации. Кинетика роста анодных пленок. Взаимо-
связь ионного тока в анодной пленке с напряженностью поля в ней; сла-
гаемые перенапряжения. Зависимость перенапряжения от плотности то-
ка, толщины пленки от времени при постоянной плотности анодного то-
ка, напряженности поля от приложенного напряжения. Способы измере-
ния толщины анодной пленки.
Антимонид индия. Общий вид анодной кривой. Характеристика ее
отдельных участков. Стадии окисления антимонида индия. Зависимость
кинетики анодирования антимонида индия от состава электролита.
3.6. Практика анодного растворения и анодирования
полупроводников
Анодное полирование и локальное растворение полупроводников.
Условия их осуществления. Техника электрополирования и анодной рез-
ки полупроводников. Примеры: германий, арсенид галлия.
Анодное растворение арсенида галлия р-типа. Влияние на кинетику анодного растворения полупроводника состава раствора, его рН, поверх- ности анода. Наклон анодных кривых. Выход по току, порядок реакции по ОН-ионам. Механизм анодного растворения арсенида галлия. Анодное растворение арсенида галлия n-типа. Торможение анодно- го процесса, его зависимость от концентрации донорной примеси, кри- сталлографической ориентации, освещения, состава раствора. Эмпириче- ская взаимосвязь: а) наклона анодных кривых и тока обмена с концен- трацией носителей, б) анодного тока с перенапряжением. Анодное растворение других соединений: АIIIВV (фосфидов галлия и индия, арсенида индия, антимонидов галлия и индия), соединений АIIВVI, халькогенидов элементов II, III и IV групп. 3.4. Природа предельного анодного тока Существующие теории униполярной проводимости контакта по- лупроводника с электролитом, металлом; их несогласованность с экс- периментом. Основные положения эстафетной теории переноса тока на контакте и в полупроводнике. Роль хемосорбция кислорода на поверх- ности полупроводника и многоступенчатой ионизации атомов донорной примеси в ОПЗ на эстафетный переход электронов из электролита и валентной зоны в зону проводимости. Согласие теории с эксперимен- том. 3.5. Анодирование полупроводников Введение. Основные понятия, термины. Историческая справка. Зна- чение и применение анодирования полупроводников. Общие закономерности анодирования. Общий вид анодной кри- вой IE, отражающий стадии активации и пассивации. Виды и причины пассивации и транспассивации. Кинетика роста анодных пленок. Взаимо- связь ионного тока в анодной пленке с напряженностью поля в ней; сла- гаемые перенапряжения. Зависимость перенапряжения от плотности то- ка, толщины пленки от времени при постоянной плотности анодного то- ка, напряженности поля от приложенного напряжения. Способы измере- ния толщины анодной пленки. Антимонид индия. Общий вид анодной кривой. Характеристика ее отдельных участков. Стадии окисления антимонида индия. Зависимость кинетики анодирования антимонида индия от состава электролита. 3.6. Практика анодного растворения и анодирования полупроводников Анодное полирование и локальное растворение полупроводников. Условия их осуществления. Техника электрополирования и анодной рез- ки полупроводников. Примеры: германий, арсенид галлия. 93
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 91
- 92
- 93
- 94
- 95
- …
- следующая ›
- последняя »