Нанотехнологии в физике. Изучение структурных типов углеродных нанотрубок. Битюцкая Л.А - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

26
металлические провода в микросхемах, которые плавятся при 600 – 1000 °C.
Теплопроводность нанотрубок составляет до 6000 Вт/м
.
K, что превышает
теплопроводность алмаза (3320 Вт/м
.
K).
Электронные устройства на нанотрубках. Рекорд подвижности
электронов в углеродных нанотрубках при комнатной температуре составляет
100000 см
2
/В
.
с. Это значение подвижности на 23% превышает значение
подвижности в InSb (77000 см
2
/В
.
с); в 70 раз выше, чем в кремнии (1500
см
2
/В
.
с). Углеродные нанотрубки с такой высокой подвижностью можно
использовать для изготовления более быстродействующих транзисторов (рис.
24) и более чувствительных химических сенсоров.
Рис. 24. Полевой транзистор на основе углеродных нанотрубок.
В настоящее время созданы опытные образцы полевых транзисторов на
основе одной нанотрубки: при приложении запирающего напряжения в
несколько вольт проводимость однослойных нанотрубок изменяется на 5
порядков.
Ширина запрещенной зоны полупроводниковых нанотрубок зависит от
диаметра нанотрубки и варьируется в пределе 0.7-1.1. эВ .
При создании светодиода на основе нанотрубок реализована
трехконтактная конфигурация полевого транзистора с использованием SiO
2
подложки в качестве базы (рис. 25). 
                                      26

мета л л ические пров од а в микросх ема х , ко торые пл а в ятся при 600 – 1000 °C.
Т епл опров од но сть на но трубо к соста в л яет д о 6000 Вт/м .K, что прев ыш а ет
тепл опро в о д ностьа л ма за (3320 Вт/м .K).

     Элект ро нные уст ро йст ва на на но т рубка х. Рекорд по д в иж ности
эл ектроно в в угл ерод ных на но трубка х при комна тно й темпера туре со ста в л яет
100000 см 2/В.с. Э то зна чение под в иж но сти на 23% прев ыш а ет зна чение
под в иж ности в InSb (77000 см 2/В.с); в 70 ра з в ыш е, чем в кремнии (1500
см 2/В.с). Угл ерод ные на но трубки с та кой в ысокой под в иж но стью мож но
испол ьзов а ть д л я изго тов л ения бол ее быстро д ейств ую щ их тра нзисторо в (рис.
24) и бол ее чув ств ител ьных х имических сенсоро в .




        Рис. 24. П ол ев ой тра нзистор на основ е угл еро д ных на нотрубок.

      В на стоящ ее в ремя со зд а ны опытные о бра зцы по л ев ых тра нзисто ро в на
о снов е од ной на но трубки: при прил ож ении за пира ю щ его на пряж ения в
нескол ько в ол ьт пров од имость од носл ойных на но трубо к изменяется на 5
поряд ко в .
      Ш ирина за прещ енной зоны пол упров од ников ых на но трубо к за в исит от
д иа метра на но трубки и в а рьируется в пред ел е 0.7-1.1. эВ.
      П ри созд а нии св етод ио д а      на    основ е на но трубо к реа л изо в а на
трех конта ктна я конфигура ция пол ев о го тра нзистора с испол ьзо в а нием SiO2
под л ож ки в ка честв е ба зы (рис. 25).

Страницы