Теория электрических цепей и электроника. Богданова Л.В - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2
2. Моделирование прямой и обратной ветвей ВАХ кремниевого
диода
Установите
1
сопротивление резистора R1 = 100 Ом, а также параметры
модели диода D1:
I
S
= 1e-12 А – ток насыщения,
R
S
= 0 Ом – объёмное сопротивление диода,
N = 1,71 – коэффициент неидеальности,
U
проб
= 100 В – напряжение пробоя,
I
проб
= 1e-10 А – начальный ток пробоя,
N
BV
= 1 – коэффициент тока пробоя,
I
BVL
= 0 А – начальный ток пробоя низкого уровня инжекции,
N
BVL
= 0 – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого
уровня,
I
SR
= 1e-12 А – рекомбинационный ток,
N
R
= 2 – коэффициент неидеальности для тока I
SR
,
I
KF
=
∞
А – ток перегиба при высоком уровне инжекции.
Нажмите кнопу “Моделирование”
на строке инструментов
клиентского интерфейса (рис. 2).
В открывшемся окне введите следующие параметры моделирования
2
:
начальное значение напряжения 0 В, конечное значение напряжения 1 В, шаг
моделирования 1е-2.
1
Ввод параметров всех элементов электрической схемы проведения исследования
(резисторов, диодов, транзисторов, источников питания) осуществляется через
контекстное меню, которое вызывается двойным щелчком левой клавиши мыши при
наведении ее указателя на соответствующий элемент схемы.
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.
Теория электрических цепей и электроника
27
К О П И Я
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.            Теория электрических цепей и электроника




                                                  Я
   диода
                           ПИ                     Рис. 2

        2. Моделирование прямой и обратной ветвей ВАХ кремниевого

        Установите 1 сопротивление резистора R1 = 100 Ом, а также параметры
   модели диода D1:
        IS = 1e-12 А – ток насыщения,
        RS = 0 Ом – объёмное сопротивление диода,
        N = 1,71 – коэффициент неидеальности,
        Uпроб = 100 В – напряжение пробоя,
        Iпроб = 1e-10 А – начальный ток пробоя,
        NBV = 1 – коэффициент тока пробоя,
        IBVL = 0 А – начальный ток пробоя низкого уровня инжекции,
        NBVL = 0 – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого
КО

   уровня,
        ISR = 1e-12 А – рекомбинационный ток,
        NR = 2 – коэффициент неидеальности для тока ISR,
        IKF = ∞ А – ток перегиба при высоком уровне инжекции.

        Нажмите кнопу “Моделирование”             на строке инструментов
   клиентского интерфейса (рис. 2).
        В открывшемся окне введите следующие параметры моделирования 2 :
   начальное значение напряжения 0 В, конечное значение напряжения 1 В, шаг
   моделирования 1е-2.


            1
           Ввод параметров всех элементов электрической схемы проведения исследования
   (резисторов, диодов, транзисторов, источников питания) осуществляется через
   контекстное меню, которое вызывается двойным щелчком левой клавиши мыши при
   наведении ее указателя на соответствующий элемент схемы.
                                                                                                27

Страницы