Теория электрических цепей и электроника. Богданова Л.В - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 4 Рис. 5
5. Повторите пункты 1 – 4 выбрав в качестве объекта
исследования германиевый диод.
Сопротивление резистора R1 = 100 Ом, параметры модели
германиевого диода:
I
S
= 2e-7 А – ток насыщения,
R
S
= 7 Ом – объёмное сопротивление диода,
N = 1,3 – коэффициент неидеальности,
U
проб
= 100 В – напряжение пробоя,
I
проб
= 1e-10 А – начальный ток пробоя,
N
BV
= 1 – коэффициент тока пробоя,
I
BVL
= 0 А – начальный ток пробоя низкого уровня инжекции,
N
BVL
= 0 – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого
уровня,
I
SR
= 0 А – рекомбинационный ток,
N
R
= 2 – коэффициент неидеальности для тока I
SR
,
I
KF
=
∞
А – ток перегиба при высоком уровне инжекции.
Диапазоны изменения напряжений и шаг моделирования используйте
те же, что и для кремниевого диода (см. п. 2).
6. Повторите пункты 1 – 4 выбрав в качестве объекта
исследования диод Шоттки.
Сопротивление резистора
R1 = 100 Ом, параметры модели диода
Шоттки:
I
S
= 3,42e-5 А – ток насыщения,
R
S
= 0,05 Ом – объёмное сопротивление диода,
N = 1,37 – коэффициент неидеальности,
U
проб
= 100 В – напряжение пробоя,
I
проб
= 1e-10 А – ток пробоя,
N
BV
= 1 – коэффициент тока пробоя,
I
BVL
= 0 А – начальный ток пробоя низкого уровня инжекции,
N
BVL
= 0 – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого
уровня,
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.
Теория электрических цепей и электроника
30
К О П И Я
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.   Теория электрических цепей и электроника




                                                  Я
                              Рис. 4                           Рис. 5

         5. Повторите пункты 1 – 4 выбрав в качестве объекта
   исследования германиевый диод.
         Сопротивление
   германиевого диода:
                           ПИ резистора

         IS = 2e-7 А – ток насыщения,
                                           R1 = 100 Ом,


         RS = 7 Ом – объёмное сопротивление диода,
                                                          параметры модели



         N = 1,3 – коэффициент неидеальности,
         Uпроб = 100 В – напряжение пробоя,
         Iпроб = 1e-10 А – начальный ток пробоя,
         NBV = 1 – коэффициент тока пробоя,
         IBVL = 0 А – начальный ток пробоя низкого уровня инжекции,
         NBVL = 0 – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого
   уровня,
         ISR = 0 А – рекомбинационный ток,
         NR = 2 – коэффициент неидеальности для тока ISR,
         IKF = ∞  А – ток перегиба при высоком уровне инжекции.
КО

         Диапазоны изменения напряжений и шаг моделирования используйте
   те же, что и для кремниевого диода (см. п. 2).

        6. Повторите пункты 1 – 4 выбрав в качестве объекта
   исследования диод Шоттки.
        Сопротивление резистора R1 = 100 Ом, параметры модели диода
   Шоттки:
        IS = 3,42e-5 А – ток насыщения,
        RS = 0,05 Ом – объёмное сопротивление диода,
        N = 1,37 – коэффициент неидеальности,
        Uпроб = 100 В – напряжение пробоя,
        Iпроб = 1e-10 А – ток пробоя,
        NBV = 1 – коэффициент тока пробоя,
        IBVL = 0 А – начальный ток пробоя низкого уровня инжекции,
        NBVL = 0 – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого
   уровня,
                                                                                       30

Страницы