Теория электрических цепей и электроника. Богданова Л.В - 33 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2
2. Исследование ВАХ методом моделирования
Установите значение элементов схемы: R
b
= 100 Ом, R
c
= 100 Ом;
Установите параметры модели транзистора:
I
S
= 1e-16 А – обратный ток коллекторного перехода,
BF = 80 – коэффициент усиления тока в схеме ОЭ,
BR = 1 – коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном
включении транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами),
I
SE
= 1e-14 А – обратный ток эмиттерного перехода,
I
SC
= 1e-14 А – обратный ток коллекторного перехода,
R
B
= 100 Ом – объёмное сопротивление базы,
R
E
= 0 Ом – объёмное сопротивление эмиттера,
R
С
= 0 Ом – объёмное сопротивление коллектора,
V
JC
= 0,75 В – контактная разность потенциалов перехода база-
коллектор,
V
JE
= 0,75 В – контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер,
V
AF
= 50 В – напряжение Эрли.
Нажмите кнопу “Моделирование” (рис. 2) на строке инструментов
клиентского интерфейса.
Введите следующие параметры моделирования входных (I
б
=
f(U
бэ
))характеристик (рис. 3):
E
b (нач.)
= 0 В, E
b (кон)
= 1 В, шаг 1е-2 В;
E
с (нач.)
= 0 В, E
с (кон.)
= 10 В, шаг 1 В.
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.
Теория электрических цепей и электроника
33
К О П И Я
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.            Теория электрических цепей и электроника




                                                  Я
                           ПИ                     Рис. 2
          2. Исследование ВАХ методом моделирования
          Установите значение элементов схемы: Rb = 100 Ом, Rc = 100 Ом;
          Установите параметры модели транзистора:
          IS = 1e-16 А – обратный ток коллекторного перехода,
          BF = 80 – коэффициент усиления тока в схеме ОЭ,
          BR = 1 – коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном
   включении транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами),
          ISE = 1e-14 А – обратный ток эмиттерного перехода,
          ISC = 1e-14 А – обратный ток коллекторного перехода,
          RB = 100 Ом – объёмное сопротивление базы,
          RE = 0 Ом – объёмное сопротивление эмиттера,
          RС = 0 Ом – объёмное сопротивление коллектора,
          VJC = 0,75 В – контактная разность потенциалов перехода база-
   коллектор,
КО

          VJE = 0,75 В – контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер,
          VAF = 50 В – напряжение Эрли.
          Нажмите кнопу “Моделирование”                (рис. 2) на строке инструментов
   клиентского интерфейса.
          Введите следующие параметры моделирования входных (Iб =
   f(Uбэ))характеристик (рис. 3):
          Eb (нач.) = 0 В, Eb (кон) = 1 В, шаг 1е-2 В;
          Eс (нач.) = 0 В, Eс (кон.) = 10 В, шаг 1 В.




                                                                                                33

Страницы