Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 114 стр.

UptoLike

Составители: 

и сверхрешетках. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.5. Фотодетекторы ИК–излучения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5. Кинетические явления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.1. Неравновесная функция распределения
в низкоразмерных структурах. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.2. Планарный перенос в квантовых ямах. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.3. Вертикальный перенос в сверхрешетках. . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.3.1. Область омической проводимости . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость
в классических полях. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.3.3. Резонансное туннелирование в области
штарковской локализации. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей . . . . . . . . . . . 75
5.5. Квантовый эффект Холла (КЭХ) в квантовых ямах. . . . . . . . . 78
5.5.1. Классическая теория целочисленного КЭХ . . . . . . . . . . . 78
5.5.2. Влияние эффектов локализации на КЭХ . . . . . . . . . . . . . 79
6. Резонансное туннелирование . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными
квантовыми ямами и потенциальными барьерами. . . . . . . . . . 82
6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование
электронов при прохождении над квантовой ямой . . . . 82
6.1.2. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование
электронов при прохождении над потенциальным
барьером . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
6.2. Туннелирование электронов через двухбарьерную
квантовую структуру (ДБКС). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
6.2.1. Прохождение электромагнитных волн через
резонатор Фабри -Перо. Резонансные частоты. . . . . . . . 89
6.2.2. Энергетический спектр электронов в изолированной
несимметричной КЯ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
6.2.3. Естественное и релаксационное уширения уровней
энергии в квантовой яме ДБКС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
6.2.4. Туннелирование электронов через ДБКС в области
резонансных значений энергии. Формула Лоренца . . . . 101
6.3. Резонансно-туннельный диод (РТД) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
6.3.1. Строение и действие РТД. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
6.3.2. ВАХ и ОДП идеального РТД. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
6.3.3. Эквивалентная схема и максимальная частота
генерации РТД . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
Заключение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
114