Сопротивление материалов. Часть I. Борисов Е.К - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

При используемой схеме нагружения на участке балки
между точками А и В создается зона чистого изгиба (рис. 8.5),
в пределах которой поперечная сила отсутствует, а изгибаю-
щий момент постоянен по величине. В среднем сечении зоны
на верхней и нижней кромках балки имеются полукруглые
вырезы, которые являются концентраторами напряжений.
По высоте сечения балки наклеены две группы тензоре-
зисторов: в плоскости концентраторов напряжений (сечение
балки е) – группа 9 и на расстоянии, где влияние концентра-
торов на напряженное состояние не сказывается (сечение бал-
ки с) – группа 10. Тензорезисторы подключены через разъе-
мы 11 к измерителю деформаций ИД.
Рис. 8.5. Схема чистого изгиба: а – схема нагружения балки;
б – эпюра поперечной силы; в – эпюра изгибающего момента;
г – номинальные напряжения в поперечном сечении балки
Порядок выполнения работы
1. Подключить измерительную аппаратуру к разъему тен-
зорезисторов в сечении
е с концентраторами напряжений.
64 
    При используемой схеме нагружения на участке балки
между точками А и В создается зона чистого изгиба (рис. 8.5),
в пределах которой поперечная сила отсутствует, а изгибаю-
щий момент постоянен по величине. В среднем сечении зоны
на верхней и нижней кромках балки имеются полукруглые
вырезы, которые являются концентраторами напряжений.
    По высоте сечения балки наклеены две группы тензоре-
зисторов: в плоскости концентраторов напряжений (сечение
балки е) – группа 9 и на расстоянии, где влияние концентра-
торов на напряженное состояние не сказывается (сечение бал-
ки с) – группа 10. Тензорезисторы подключены через разъе-
мы 11 к измерителю деформаций ИД.




     Рис. 8.5. Схема чистого изгиба: а – схема нагружения балки;
     б – эпюра поперечной силы; в – эпюра изгибающего момента;
       г – номинальные напряжения в поперечном сечении балки

    Порядок выполнения работы
    1. Подключить измерительную аппаратуру к разъему тен-
зорезисторов в сечении е с концентраторами напряжений.

                                 64

Страницы