Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 3 стр.

                                      3

                                 Р абота № 3
А В ТО М А ТИ З И Р О В А Н Н Ы Й КО Н ТР О Л Ь Э Л Е КТР О Ф И З И Ч Е С КИ Х
                    П А Р А М Е ТР О В М Д П -С ТР У КТУ Р

                             Теоретическая часть

        М Д П - структуры леж ат в основе конструкции б ольш инства
современны х приб оров микроэлектроники и в то ж е время я вля ю тся
такими об ъ ектами ф изических исследований, на которы х могут б ы ть
вы я снены     механизмы   практически всех электронны х процессов,
разы гры ваю щ ихся в приповерхностны х слоя х полупроводника, на
границах раздела полупроводник-диэлектрик, металл-диэлектрик, а
такж е в самих полупроводниках и диэлектриках. В свя зи с этим ф изика
данны х структур занимает важ ное место в                   современной
микроэлектронике.
       Д ля исследования электроф изических характеристик М Д П -
структур предлож ено б ольш ое количество методов. В           настоя щ ей
раб оте рассматривается    метод   вы сокочастотны х     (В Ч)     вольт-
ф арадны х характеристик (В Ф Х) как наиб олее           универсальны й,
позволя ю щ ий проводить достаточно б ы стро эксперимент, имею щ ий
хорош о разраб отанную теорию и легко поддаю щ ийся автоматизации.

                  1. М Д П -структураи еехарактеристики

      О сновны ми     характеристиками      М Д П -структуры   я вля ю тся :
поверхностны й электростатический            потенциал ψs, плотность
поверхностны х состоя ний Nss и их энергетическое распределение в
запрещ енной зоне полупроводника, величина встроенного в диэлектрик
заря да и его подвиж ность, рекомб инационны е параметры (время
ж изни, эф ф ективны е сечения , скорость поверхностной рекомб инации) и
др.[1-3].
      О сновополагаю щ ая идея для б ольш инства вольт-ф арадны х (C-V)
методов измерения и расчета характеристик М Д П -структур состоит в
том, что граничны есостоя ния сами по себ еневлия ю т непосредственно на
ф орму и другиехарактеристики об ласти пространственного заря да(О П З)
полупроводника. И х влия ние проя вля ется посредством экранировки
внеш него электрического поля , что сильно искаж ает экспериментальны е
C-V зависимости. В свя зи с этим б ольш ое значение при использовании
вольт-ф арадны х методов исследования приоб ретает сравнениереальны х и
идеальны х структур.
       П од идеальной понимается структура, для которой вы полня ю тся
следую щ иеусловия :
      1) отсутствую т поверхностны е состоя ния на границе раздела
полупроводник-диэлектрик;