Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 41 стр.

UptoLike

Составители: 

41
Практическая часть
Работа может выполняться в одном из двух вариантов (определяется
преподавателем ):
1. Получение и обработка специальных данных.
2. Обработка экспериментальных данных.
Во втором случае работа выполняется , начиная с пункта 3
практических заданий . Тестовые экспериментальные данные находятся в
файле zerbst.txt и получены на структуре с параметрами:
315
10
= смN
A
,
500
=
i
d
Å .
Задания
1. Снять высокочастотную равновесную С-V характеристику и с её
помощью рассчитать
A
N
и
i
d
. Определить напряжение на затворе
inv
g
V
,
при котором структура достигает необходимой глубины инверсии.
2. Снять релаксационную характеристику С(t) для выбранного
напряжения
inv
g
V
. Зарисовать форму релаксационной кривой .
3. С помощью программы mdpr.exe перестроить релаксационную
кривую в координатах
[
]
2
)( tC
i
C
от t. Зарисовать полученную
зависимость . Рассчитать скорость генерации электронно- дырочных пар
G (t = 0).
4. С помощью программы mdpr.exe построить график Цербста.
Рассчитать скорость поверхностной генерации
g
S
, генерационное время
жизни
g
τ
и время релаксации инверсионного слоя
inv
T
.
Контрольные вопросы
1. Назовите основные генерационно - рекомбинационные параметры
МДП- структуры . Дайте определения этих параметров . В чем заключается
их физический смысл ?
2. Охарактеризуйте состояния стационарного обеднения , инверсии и
глубокого неравновесного обеднения . Чем они различаются ?
3. Каким образом измеряются равновесные и неравновесные ВФХ и
релаксационные кривые С(t) МДП-структуры ?
4. Какими физическими механизмами определяется время релаксации
инверсионного слоя
inv
T
? Как можно управлять его величиной ?
5. Какими параметрами определяется общий темп генерации G ,
скорость поверхностной генерации
g
S
и генерационное время жизни
g
τ
?
                                    41

                           П рактическая часть

       Раб отамож ет вы полня ться в одном издвух вариантов (определя ется
преподавателем):
       1. П олучениеи об раб откаспециальны х данны х.
       2. О б раб откаэкспериментальны х данны х.
       В о втором случае раб ота вы полня ется , начиная с пункта 3
практических заданий. Т естовы е экспериментальны е данны е находя тся в
ф айле zerbst.txt и получены на структуре с параметрами: N A = 1015 с м −3 ,
d i = 500 Å .

                                 З адан ия

     1. Сня ть вы сокочастотную равновесную С-V характеристику и с её
помощ ью рассчитать N A и d i . О пределить напря ж ение на затворе V g ,
                                                                        inv
при котором структурадостигает необ ходимой глуб ины инверсии.
      2. Сня ть релаксационную характеристику С(t) для вы б ранного
напря ж ения V g . Зарисовать ф орму релаксационной кривой.
               inv
     3. С помощ ью программы mdpr.exe перестроить релаксационную
кривую     в координатах [Ci C(t)]2 от t. Зарисовать полученную
зависимость. Рассчитать скорость генерации электронно-ды рочны х пар
G (t = 0).
      4. С помощ ью программы mdpr.exe построить граф ик Ц ерб ста.
Рассчитать скорость поверхностной генерации S g , генерационное время
ж изни τ g и время релаксации инверсионного слоя Tinv .

                         Кон трольн ы евоп росы

       1. Н азовитеосновны е генерационно - рекомб инационны е параметры
М Д П - структуры . Д айте определения этих параметров. В чем заклю чается
их ф изический смы сл?
       2. О характеризуйте состоя ния стационарного об еднения , инверсии и
глуб окого неравновесного об еднения . Чем они различаю тся ?
     3. К аким об разом измеря ю тся равновесны е и неравновесны е В Ф Х и
релаксационны екривы еС(t) М Д П -структуры ?
     4. К акими ф изическими механизмами определя ется время релаксации
инверсионного слоя Tinv ? К акмож но управля ть его величиной?
     5. К акими параметрами определя ется об щ ий темп генерации G,
скорость поверхностной генерации S g и генерационноевремя ж изни τ g ?