ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
30
Контрольные вопросы
1. Как изменяется плотность квантовых состояний в разрешенных
энергетических зонах полупроводника в зависимости от энергии?
2. Каков физический смысл энергии Ферми (электрохимического
потенциала) и функции распределения Ферми– Дирака?
3. Как влияют закон дисперсии и абсолютная температура на
плотность квантовых состояний и степень заселенности энергетических
уровней электронов?
4. Что такое химический потенциал для электронов (для дырок)?
Каков его физический смысл?
5. Сформулируйте количественные критерии невырожденного и
сильно вырожденного полупроводников?
6. В чем заключается смысл названия «эффективная плотность
состояний» в электронной и дырочной зонах ?
7. Что такое эффективная масса плотности состояний? В чем смысл
этого понятия?
8. Чем обусловлено различие функций распределения свободных
электронов (находящихся в зоне проводимости) и связанных электронов
(находящихся на локальных центрах )?
9. Каким образом можно найти положение уровня Ферми , если
концентрации носителей заряда в зонах известны ?
10. Каков физический смысл условия электрической нейтральности?
11. Напишите уравнение электрической нейтральности в общем
виде. В каких случаях это уравнение можно решить аналитически ?
12. Почему для суждения о степени чистоты полупроводниковых
материалов только результатов измерения концентрации носителей
недостаточно ?
30
К онтрольные в опросы
1. К ак и зменяет ся плотност ь квант овы х состояни й вразреш енны х
э нергет и чески х зонах полупроводни кавзави си мости от э нерги и ?
2. К аков ф и зи чески й смы сл э нерги и Ф ерми (э лект рохи ми ческого
пот енци ала) и ф ункци и распределени я Ф ерми –Д и рака?
3. К ак вли яю т закон ди сперси и и абсолю т ная т емперат ура на
плотност ь квант овы х состояни й и степень заселенности э нергети чески х
уровней э лект ронов?
4. Ч то т акое хи ми чески й пот енци ал для э лект ронов (для ды рок)?
К аковего ф и зи чески й смы сл?
5. Сф ормули руй т е коли чественны е кри т ери и невы рож денного и
си льно вы рож денного полупроводни ков?
6. В чем заклю чает ся смы сл названи я «э ф ф ект и вная плотност ь
состояни й »вэ лектронной и ды рочной зонах?
7. Ч т о т акое э ф ф екти вная масса плот ности состояни й ? В чем смы сл
э т ого поняти я?
8. Ч ем обусловлено разли чи е ф ункци й распределени я свободны х
э лект ронов (находящ и хся взоне проводи мост и ) и связанны х э лект ронов
(находящ и хся налокальны х центрах)?
9. К аки м образом мож но най т и полож ени е уровня Ф ерми , если
концентраци и носи телей зарядавзонах и звест ны ?
10. К аковф и зи чески й смы сл услови я э лект ри ческой ней тральности ?
11. Н апи ш и т е уравнени е э лект ри ческой ней т ральност и в общ ем
ви де. В каки х случаях э т о уравнени емож но реш и т ь анали ти чески ?
12. П очему для суж дени я о степени чи стот ы полупроводни ковы х
мат ери алов только результ ат ов и змерени я концентраци и носи т елей
недостат очно?
