Обеспечение надежности при проектировании РЭС. Бородин С.М. - 62 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

62
Для конденсаторов:
доп
имп
н
U
UUU
K
, (3.20)
где U
=
; U
; U
имп
– приложенные к конденсатору постоянное, переменное и
импульсное напряжения;
U
доп
– допустимое напряжение для данного элемента по техническим
условиям.
Для полупроводниковых диодов в зависимости от режима работы:
доп.пр
пр
нi
I
I
K
,
доп.обр
обр
нu
U
U
K
, (3.21)
где I
пр
, U
обр
– прямой ток и обратное напряжение в рабочем режиме;
I
пр.доп
, U
обр.доп.
– допустимые значения прямого тока и обратного на-
пряжения по техническим условиям.
Для транзисторов:
,
P
P
K
доп.к
к
эн
(3.22)
где Р
к
– мощность, рассеиваемая коллектором в рабочем режиме;
Р
к.доп
– допустимая мощность рассеивания на коллекторе по техни-
ческим условиям.
Для аналоговых микросхем:
,
I
I
K
доп.вых
вых
эн
(3.23)
где I
вых
– выходной ток ИМС в анализируемой принципиальной схеме;
I
вых.доп
– допустимый выходной ток по техническим условиям.
Для цифровых микросхем:
,
К
N
K
р
вх
эн
(3.24)
где N
вх
– количество входов других микросхем, подключенных к выходу
рассматриваемой микросхемы;
К
р
– коэффициент разветвления для данной микросхемы по техниче-
ским условиям.

Страницы