Общие вопросы проектирования радиоэлектронных средств. Бородин С.М. - 87 стр.

UptoLike

Составители: 

87
вают, коэффициента компактности, который характеризуется отношением сум-
мы объемов элементов к общему объему сборочной единицы
(12)
Однако при определении компактности сложных РЭС, в которых число
элементов может исчисляться тысячами, определение объема всех схемных
элементов связано с большой затратой времени. Такая задача может быть уп-
рощена при использовании данных, накопленных в процессе выполнения
предшествующих разработок. В настоящее время при оценке компактности
РЭС широко используют способ, характеризующий компактность по количест-
ву схемных элементов, приходящихся на единицу объема сборки. Такая оценка
учитывает средние габаритные размеры элементов независимо от степени их
микроминиатюризации. Если в выражении (12) заменить сумму фактических
объемов всех п элементов значением их среднего объема то коэффициент
заполнения можно записать в виде Тогда плотность заполнения
объема конструктивной составляющей примет вид
Ориентировочно масса М разрабатываемого изделия на ранних стадиях
может быть оценена по формуле
(13)
удельная масса изделия, зависящая от функционального назначения
изделия, объекта установки, схемотехническх решений и выбранной
элементной базы
Сравнивая плотность заполнения объема РЭС схемными элементами раз-
личных поколений, можно отметить, что если при использовании вакуумных
ламп пальчиковой серии плотность компоновки составляла от 0,03 до 0,4 дета-
то при переходе на полупроводниковые приборы и печатный монтаж
плотность компоновки возросла в 5 разт 1 до 2 деталей/см
При использо-
вании пленочных интегральных микросхем плотность компоновки увеличилась
в 50 разт 50 до 100
а при использовании полупроводниковых
интегральных микросхем — в 600 разт 500 до
деталей/см
В настоя-
щее время количество схемных элементов на кристалле СБИС достигает не-
скольких миллионов, и на первое место выходит проблема установки микро-
схем на плату ввиду большого количества и плотного расположения выводов.