Микропроцессоры в системах контроля. Бояринов А.Е. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

ЭП ЭП ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП ЭП
ЭПЭП
ЭП ЭПЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП
ЭП ЭП
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Соде
р
жимое ячейки
1
0
1
2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
CS
OE
255
Элемент
памяти
Выбор
элемента
Линия
считывания
Рис. 3 Структура ПЗУ с произвольной выборкой
Программируемые ПЗУ (ППЗУ) с плавкими перемычками поступают к потребителю в первона-
чальном незапрограммированном состоянии, соответствующем 0 или 1 во всех элементах памяти (ЭП).
В режиме программирования нужную информацию записывают в ППЗУ путем пережигания перемы-
чек, играющих роль ЭП, электрическим током с помощью программатора. В дальнейшем изменение
информации, занесенной в ППЗУ, возможно только путем пережигания перемычек, оставшихся после
предыдущего программирования.
Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием информации в настоящее
время наиболее широко используются в МП-системах. В этих БИС каждый бит хранимой информации
отображается состоянием соответствующего МОП-транзистора с плавающим затвором, представляю-
щего собой конденсатор. Заряжая и разряжая его, производят запись и стирание информации. Накоп-
ленный заряд в таких конденсаторах может сохраняться очень долго (более 10 лет), за счет высокого
качества изолирующего слоя.
Незапрограммированная микросхема РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием имеет на выходах по
всем адресам уровень логической единицы.
Для записи в требуемые разряды логического нуля на соответствующие выводы данных подается
уровень 0, а на остальные – 1. Можно производить коррекцию ранее записанной информации, изменяя
состояние
1 на 0 (но не наоборот).
Для стирания информации в течение 30…60 мин облучают кристалл БИС сквозь прозрачное окно в
корпусе ультрафиолетовым излучением люминесцентной лампы, которое увеличивает ток утечки в изо-
лирующем слое, приводя к рассасыванию хранимого на плавающих затворах заряда.
Число циклов перезаписи лежит обычно в пределах 10...100 (для различных типов), так как по мере
перепрограммирования постепенно ухудшаются диэлектрические свойства изолирующего слоя.
РПЗУ с электрическим стиранием позволяет производить как запись, так и стирание информации
с помощью электрических сигналов. Благодаря этому, появляется возможность изменять содержимое
постоянной памяти непосредственно в МП-системе, если там предусмотрены устройства формирования
сигналов стирания и программирования. Особенностью таких РПЗУ является блочное стирание, т.е. не-
возможность стирания информации в отдельных ячейках памяти.
Достоинством РПЗУ с электрическим стиранием является не только удобство и высокая скорость
перезаписи информации, но и значительное допустимое число циклов перезаписи. Современные техно-
логии гарантируется не менее 100000 циклов.
Flash память является разновидностью РПЗУ с электрическим стиранием. В настоящее время
Flash ПЗУ широко используются для организации программной памяти микроконтроллеров. Допуска-
ется не менее 1000 циклов перезаписи.
На рис. 4 представлены примеры графического обозначения ПЗУ на принципиальных схемах.
Функциональное назначение микросхемы указывается в середине. Аббревиатура ROM (Read Only
Memory – память только для чтения) используется для ПЗУ. Слева расположены выводы входных сиг-
налов адреса и управления, справа – выходы данных, подачи питания (Ucc, GND) и напряжения про-
граммирования (U
PR
). Знак инверсии на вхо-

Страницы