Полевой транзистор с барьером Шоттки - 29 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Транзистор VТ1 впаян в разрыв 50-омной микрополосковой линии (МПЛ).

Сигнал на вход транзистора поступает с отрезка МПЛ 9 снимается с отрезка МПЛ

10. Питающее напряжение U

= +5В подаётся на контактную площадку 7.

10.3 Конструкция

Изучаемый усилитель представляет собой микросборку (рисунок 14).

Рисунок 14 – Конструкция усилителя на ПТШ

Корпус 1 чашечного типа выполнен из сплава D 16. Сверху и снизу корпус

закрывается крышками. СВЧ разъёмы (СРГ-50-751ФВ) размещены с двух сторон

корпуса. Разъем 2 является входным, 3 – выходным. Вход 4 служит для подачи

питающего напряжения, вход 5 – «земля».

Внутри корпуса размещена микрополосковая плата 6, припаянная к рамке

из титанового сплава для

согласования коэффициентов линейного расширения.

Микрополосковая плата выполнена на подложке из поликора размером

15х18х0,5мм

с диэлектрической проницаемостью ε =9,6.

11 МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ

Для экспериментального изучения физического принципа действия ПТШ и

выполненного на его основе усилителя используется прибор для измерения

амплитудно-частотных характеристик Х1-42, источник постоянного тока ВСП-50