Микроволновая аппаратура дистанционного зондирования поверхности Земли и атмосферы. Техническая реализация. Брагин И.В - 43 стр.

UptoLike

Рубрика: 

43
рых установлены транзисторные сборки, соединенные вентилем
для обеспечения стабильности характеристик усилителя. Поло-
совой волноводный фильтр на выходе МШУ формирует необходи-
мую полосу приема. Преобразование усиленного входного сигна-
ла в сигнал промежуточной частоты происходит в смесителе. Он
выполнен по технологии волноводно-планарных гибридно-интег-
ральных схем, которая обеспечивает минимальные габариты при
хороших технических характеристиках. Генератор-гетеродин ис-
пользуется на оба канала для обеспечения идентичности и ста-
бильности характеристик каналов. Он выполнен на диоде Ганна,
установленном в волноводной секции со стабилизирующим резо-
натором из инвара.
Сигнал на промежуточной частоте усиливается в УПЧ, выполнен-
ном в микрополосковом исполнении на транзисторах. Для обеспече-
ния минимальных габаритов конструктивно УПЧ квадратичный де-
тектор и предварительный усилитель низкой частоты на микросхеме
операционного усилителя выполнены конструктивно в одном корпусе.
Для преобразования аналогового сигнала в цифровую форму использу-
ется усилитель низкой частоты на операционных усилителях и далее
сигнал поступает на АЦП блока обработки.
Для обеспечения калибровки усиления приемного канала использу-
ется генератор шума, выполненный на ЛПД, установленном в волно-
водном фланце.
Сигнал ГШ регулируется до паспортизованной величины с помо-
щью волноводного аттенюатора и через направленные ответвители
поступает на вход соответствующего канала. Модуляция сигнала ГШ
выполняется в модуляторе, также выполненном по технологии волно-
водно-планарных гибридно-интегральных схем, как и смеситель.
5.4. Модуляторы СВЧ
В настоящее время в радиометрических системах используются в
основном полупроводниковые модуляторы. Они обладают высоким
быстродействием (до 10 нс), низким токопотреблением (5–20 мА) и
достаточно компактны. Потери в этих модуляторах определяются ка-
чеством применяемых полупроводниковых диодов и составляют от
0,5 дБ на частоте 10 ГГц до 2–2,5 дБ на частоте 60 ГГц. Такое рез-