Составители:
Рубрика:
46
где С
д
– емкость диода.
Конечно, в принципе, варьируя параметры схемы коммутационной
ячейки можно добиться одного резонанса (последовательного), а на-
стройку в режиме параллельного резонанса обеспечить с помощью до-
полнительных реактивных элементов, расположенных в сечении ком-
мутационной ячейки или на определенном расстоянии от нее. Однако
такой метод настройки связан с уменьшением полосы рабочих частот
ячейки. В связи с этим в модуляторе параметры коммутационной ячей-
ки подбираются таким образом, чтобы обеспечить двухрезонансный
режим при использовании конкретного диода.
Такая конструкция модулятора имеет целый ряд преимуществ, а
именно:
– простоту настройки;
– легкую замену вышедших из строя диодов;
– технологическую простоту;
– отсутствие необходимости герметизации (использование корпус-
ного диода).
Для частоты 10 ГГц подобный выключатель в полосе 3 % имеет
потери пропускания меньше 0,4 дБ и потери запирания больше 20 дБ.
При установке двух выключателей через расстояние λ/4 потери про-
пускания увеличиваются примерно до 0,8 дБ при расширении полосы
примерно до 5–6 %. На более высоких частотах конструктивная реали-
зация подобных модуляторов существенно усложняется и на частотах
выше 20 ГГц их использование вряд ли целесообразно.
Выключатели на резонансных щелевых диафрагмах
Резонансная диафрагма с n-i-p-i-n-диодом является простейшим
волноводным выключателем (рис. 5.9).
Отечественная промышленность выпуска-
ет несколько типов n-i-p-i-n-диодов: 2А505,
2А508 и 2А513. Первые два типа предназна-
чены для диапазона частот 10–20 ГГц, где
обеспечивают потери не более 0,4–0,7 дБ при
развязках не менее 20 дБ. Последний тип
диода рассчитан на диапазоны 15–35 ГГц, где
потери составляют 0,7–0,9 дБ, а развязка –
не менее 25 дБ. Однако основной недостаток
Рис. 5.9. Резонансная
диафрагма
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »
