Микроволновая аппаратура дистанционного зондирования поверхности Земли и атмосферы. Техническая реализация. Брагин И.В - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

49
ля. Ее внешний вид приведен на рис. 5.15. Здесь на одной стороне пла-
ты располагается ВЩЛ, возбуждаемая входным волноводом, а на дру-
гой стороне – система микрополосковых шлейфов, возбуждаемая за счет
связи с ВЩЛ. При коммутации шлейфов с помощью p-i-n-диодов обес-
печиваются режимы прохождения и запирания. Развязка по цепям пи-
тания создается с помощью четвертьволновых фильтров из отрезков
МПЛ. По электрическим характеристикам подобный выключатель мало
отличается от характеристик выключателей на "чистых" ВЩЛ, за ис-
ключением рабочей полосы частот, которая здесь сужается в связи с
использованием отрезков МПЛ, кратных длине волны.
Многодиодные резонансные решетки
Многодиодные резонансные решетки в известном смысле могут
рассматриваться, как модификация вышеописанных резонансных ди-
афрагм с n-i-p-i-n-диодами. Они представляют собой совокупность ме-
таллических проводников, расположенных параллельно широкой стенке
волновода, с включенными на концах проводников p-i-n-диодами. Та-
кая электродинамическая система обладает резонансами как парал-
лельного, так и последовательного типа, что позволяет использовать ее
в качестве управляемого выключателя.
На рис. 5.16 представлена пла-
нарная четырехдиодная решетка,
выполненная по так называемой
обращенной схеме. Рисунок элек-
тродинамической системы по
тонкопленочной технологии нано-
сится на подложку из кварца тол-
щиной 0,4–0,5 мм. В качестве уп-
равляющих элементов используются p-i-n-диоды типа 2А517А-2 или
2А536А-5. В диапазоне частот 10–20 ГГц такой выключатель имеет
потери пропускания 0,5–0,6 дБ при развязках более 20 дБ в рабочей
полосе частот 2–3 %. Помимо узкополосности, к недостаткам этой
схемы следует отнести отсутствие достаточно точного метода ее
расчета, а также ограниченность возможностей подстройки по час-
тоте.
Подводя итог обзора существующих конструкций, приведем ос-
новные характеристики полупроводниковых модуляторов в различ-
Контактная
площадка
Цепь
смещения
Проводящие
полоски
p-i-n-диоды
Рис. 5.16. Планарная четырехдиодная
решетка

Страницы