ВУЗ:
Составители:
9) Поместить пластину под мини-пресс и дать нагрузку 30 кг, повторить действия согласно пунктам 7, 8.
10) Рассчитать среднее значение индуктивности каждого
ε
і
.
11) Определить значение магнитной проницаемости для каждого
ε
і
по формуле µ = А L, где А = 2,25⋅10
6
,
Гн
–1
– постоянная измерительной установки.
12) Записать полученные результаты в табл. 1.
1. Изменение магнитной проницаемости при
пластической деформации пермаллоевых образцов
№ п/п H
0
, мм H
д
, мм
ε
L
1
, Гн L
2
, Гн L
3
, Гн
,L
Гн
µ
1
2
3
13) Построить графическую зависимость магнитной проницаемости µ от степени пластической деформа-
ции
ε пермаллоя.
Содержание отчета
1. Рисунок установки для определения характеристик пермаллоя.
2.
Таблица результатов экспериментальных данных и измерений.
3.
График зависимости изменения индуктивности от степени пластической деформации образцов.
Контрольные вопросы
1. Классификация магнитных материалов.
2. Применение магнитомягких материалов в радиоэлектронике
3. Типы магнитомягких материалов
4. Влияние пластической деформации на магнитные свойства магнитомягких материалов.
Литература: [4].
Лабораторная работа 6
ОПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕТОВЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА И ФОТОТРАНЗИСТОРА
Цель работы: исследовать световые характеристики полупроводникового светоизлучателя (светодиода) и
характеристики полупроводникового сопротивления (фототранзистора).
Приборы и принадлежности: светоизлучающий диод АЛ 307 БМ, фототранзистор, фотоэкспонометр Фо-
тон-1, омметр, источник постоянного тока.
Методические указания
Бинарные полупроводники используют не только в качестве основы для транзисторов и микросхем, но
также и в несколько необычной роли – в качестве светоизлучающих элементов. Наиболее используемым явля-
ется арсенид галлия, легированный различными компонентами, – алюминием, фосфором, индием и др.
Принцип работы светодиода основан на излучательной рекомбинации носителей заряда в активной области
гетерогенной структуры при пропускании через нее тока. Носители заряда – электроны и дырки – проникают в
активный слой из прилегающих пассивных слоев (
р- и n-слоя) вследствие подачи напряжения на р–n структуру
и затем испытывают спонтанную рекомбинацию, сопровождающуюся излучением света. Длина волны излуче-
ния связана с шириной запрещенной зоны активного слоя законом сохранения энергии. Внешний вид наиболее
распространенного светодиода представлен на рис. 1.
Рис. 1. Светодиод АЛ 307 БМ
В электронике светодиоды используются как правило в качестве индикаторов, но также они используются
и в качестве излучателей для особых устройств – оптопар.
1
2
3
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
