Материалы электронной техники - 31 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Лабораторная работа 6

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕТОВЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА И ФОТОТРАНЗИСТОРА

Цель работы: исследовать световые характеристики полупроводни-

кового светоизлучателя (светодиода) и характеристики полупроводнико-

вого сопротивления (фототранзистора).

Приборы и принадлежности: светоизлучающий диод АЛ 307 БМ,

фототранзистор, фотоэкспонометр Фотон-1, омметр, источник постоянно-

го тока.

Методические указания

Бинарные полупроводники используют не только в качестве основы

для транзисторов и микросхем, но также и в несколько необычной роли –

в качестве светоизлучающих элементов. Наиболее используемым является

арсенид галлия, легированный различными компонентами, – алюминием,

фосфором, индием и др.

Принцип работы светодиода основан на излучательной рекомбинации

носителей заряда в активной области гетерогенной структуры при пропус-

кании через нее тока. Носители заряда – электроны и дырки – проникают в

активный слой из прилегающих пассивных слоев (р- и n-слоя) вследствие

подачи напряжения на р–n-структуру и затем испытывают спонтанную

рекомбинацию, сопровождающуюся излучением света. Длина волны из-

лучения связана с шириной запрещенной зоны активного слоя законом

сохранения энергии. Внешний вид наиболее распространенного свето-

диода представлен на рис. 1.

Рис. 1. Светодиод АЛ 307 БМ