ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
больше, чем в p-области. Электроны движутся в область p.
Концентрация дырок в области p больше, чем в n-области,
идырки движутся в область n. Таким образом, область n
заряжается положительно а область p-отицательно (рис. 16,
поз. 2). Между областями p и n возникает контактная
разность потенциалов U
k
(потенциальный барьер) и
электрическое поле. Это поле направлено так, что оно
отталкивает электроны внутрь области n, а дырки – в p-
область. В результате этого образуется тонкий переходной
слой, в котором отсутствуют свободные электроны и дырки.
1 2
3
Рис. 16 p-n-переход варикапа: 1 – при приложении
обратного напряжения;
2 – при отсутствии внешнего напряжения; 3 – при приложении
прямого напряжения
При приложении к варикапу обратного напряжения U
обр
высота потенциального барьера возрастает на величину
приложенного напряжения (рис. 16, поз. 1). Переходной слой
расширяется, и через варикап течет только малый обратный
ток. Под действием прямого напряжения U
пр
высота
U
обр
U
пр
U
k
+ U
обр
U
k
U
k
+ U
обр
