Электротехника и электроника. Брякин Л.А. - 95 стр.

При этом проводится касательная к точке с рабочим значением тока на вольт-
амперной характеристике и прямо смещённый диод замещается источником
электродвижущей силы (–Е0) и резистором с сопротивлением RD. Сопротивле-
ние этого резистора определяется отношением приращения падения напряже-
ния на диоде в рабочей точке к соответствующему приращению тока через ди-
од. Условное обозначение диода и схема его замещения при прямом токе пока-
заны на рисунке 3.7б. Заметим, что источник э.д.с. направлен против прямого
тока диода, то есть противодействует току.
Если напряжение питания схемы E значительно больше прямого падения на-
пряжения на диоде, модель диода может быть упрощена и сведена к источнику
э.д.с. с напряжением Uд.пр=(0.6-0.8)В, если диод кремниевый или с напряжени-
ем Uд.пр= (0.2-0.4)В, если диод германиевый. Условное обозначение диода и его
эквивалентная схема при прямом смещении в этом случае показаны на рисунке
3.7в. C температурой прямое падение напряжения Uд.пр на p-n переходе умень-
шается на 2-3 мВ при повышении температуры на 10C. Если необходимо учи-
тывать обратный ток через диод, то следует помнить, что с ростом температуры
на каждые 100C обратный ток германиевого диода удваивается, для кремния
удвоение тока наблюдается при росте температуры на каждые 70C.


     3.2.4 Параметры полупроводниковых диодов
  Названия многих параметров говорят об их сути и поэтому не поясняются.
1) Максимально допустимый прямой ток через диод.
2) Максимальный обратный ток через диод (величина максимально допустимо-
  го обратного тока при заданной температуре и при заданном обратном на-
  пряжении).
3) Максимальный импульсный прямой ток (определяется допустимой величи-
  ной при заданной длительности импульса тока и заданном интервале между
  импульсами).
4) Максимальное прямое падение на диоде при заданном прямом токе.
5) Максимально допустимое обратное напряжение на диоде.