Схемотехника микросхем и узлов ЭВМ. Брякин Л.А. - 61 стр.

UptoLike

Составители: 

Лабораторная работа 8
ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Цель работы:
изучить принципы работы микросхем статических опера-
тивных запоминающих устройств (ОЗУ), приобрести навыки примене-
ния этих микросхем.
Основные сведения
В основу лабораторного стенда положена микросхема К155РУ2
(рис. 8.1) ОЗУ с произвольной выборкой на 16 двоичных четырехраз-
рядных слов (16*4). Выходы микросхемы выполнены с открытыми
коллекторами, что позволяет увеличивать емкость ОЗУ параллельным
подключением дополнительных микросхем памяти. На выходах фор-
мируется инверсия записываемой информации.
Рис. 8.1. Схема лабораторного стенда
Подлежащее записи четырехразрядное слово поступает на входы
данных (D0,...,D3). Адрес выбранной ячейки памяти поступает на вхо-
ды (A0,...,A3).
Подача логического нуля на вход CS (выборка кристалла) разре-
шает работу данной микросхемы.
Если на входе E присутствует уровень логической единицы, то
микросхема находится в режиме чтения (ERD- разрешение чтения). Ес-
Лабораторная работа №8

ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Цель работы: изучить принципы работы микросхем статических опера-
тивных запоминающих устройств (ОЗУ), приобрести навыки примене-
ния этих микросхем.

Основные сведения
      В основу лабораторного стенда положена микросхема К155РУ2
(рис. 8.1) ОЗУ с произвольной выборкой на 16 двоичных четырехраз-
рядных слов (16*4). Выходы микросхемы выполнены с открытыми
коллекторами, что позволяет увеличивать емкость ОЗУ параллельным
подключением дополнительных микросхем памяти. На выходах фор-
мируется инверсия записываемой информации.




Рис. 8.1. Схема лабораторного стенда

     Подлежащее записи четырехразрядное слово поступает на входы
данных (D0,...,D3). Адрес выбранной ячейки памяти поступает на вхо-
ды (A0,...,A3).
     Подача логического нуля на вход CS (выборка кристалла) разре-
шает работу данной микросхемы.
     Если на входе E присутствует уровень логической единицы, то
микросхема находится в режиме чтения (ERD- разрешение чтения). Ес-