Излучение, атомная и ядерная физика. Бугрова А.И - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

68
Рабочими переходами Ne являются переходы E
5
→E
3
и
E
4
→E
3
, при этом длины волн лазерного излучения равны
λ
53
=0,63
мкм и
λ
43
=1,15 мкм. Вы-
бор длины волны излуче-
ния He-Ne лазера осуще-
ствляется выбором типа
интерференционных зер-
кал. Энергетический уро-
вень
E
3
опустошается за
счет безизлучательных
переходов на уровень
E
2
.
Схема энергетиче-
ских уровней и электрон-
ные переходы гелия и не-
она изображены на
рис.5.9. Опустошение
энергетического уровня
E
2
атомов неона происхо-
дит, в основном, в про-
цессе столкновения атомов со стенками газоразрядной трубки.
Это накладывает ограничения на диаметр газоразрядной трубки,
а следовательно, и на объем рабочей среды, что является прин-
ципиальным ограничением мощности гелий-неоновых лазеров.
Рис.5.9.
Полупроводниковые лазеры. Для создания инверсной насе-
ленности в полупроводниковых лазерах используется p-n пере-
ход
− контакт полупроводников двух типов, один из которых об-
ладает электронной проводимостью, другой
− дырочной, при
этом инверсия населенности создается именно в области p-n пе-
рехода при подаче на переход прямого напряжения. В лазере мо-
жет использоваться один переход, например, переход, возни-
кающий при контакте n-GaAs/p-GaAs (фактически это обыкно-
венный полупроводниковый диод), или несколько переходов, на-
пример n-GaAs/p-GaAs/p-AlGaAs (лазер на гетероструктуре).
В качестве зеркал в полупроводниковых лазерах часто
используются просто полированные торцевые поверхности
самого диода (гетероструктуры). В качестве накачки 
                              68

     Рабочими переходами Ne являются переходы E5→E3 и
E4→E3, при этом длины волн лазерного излучения равны λ53=0,63
                                     мкм и λ43=1,15 мкм. Вы-
                                     бор длины волны излуче-
                                     ния He-Ne лазера осуще-
                                     ствляется выбором типа
                                     интерференционных зер-
                                     кал. Энергетический уро-
                                     вень E3 опустошается за
                                     счет     безизлучательных
                                     переходов на уровень E2.
                                          Схема энергетиче-
                                     ских уровней и электрон-
                                     ные переходы гелия и не-
                                     она      изображены    на
                                     рис.5.9.     Опустошение
                                     энергетического уровня
               Рис.5.9.              E2 атомов неона происхо-
                                     дит, в основном, в про-
цессе столкновения атомов со стенками газоразрядной трубки.
Это накладывает ограничения на диаметр газоразрядной трубки,
а следовательно, и на объем рабочей среды, что является прин-
ципиальным ограничением мощности гелий-неоновых лазеров.
     Полупроводниковые лазеры. Для создания инверсной насе-
ленности в полупроводниковых лазерах используется p-n пере-
ход − контакт полупроводников двух типов, один из которых об-
ладает электронной проводимостью, другой − дырочной, при
этом инверсия населенности создается именно в области p-n пе-
рехода при подаче на переход прямого напряжения. В лазере мо-
жет использоваться один переход, например, переход, возни-
кающий при контакте n-GaAs/p-GaAs (фактически это обыкно-
венный полупроводниковый диод), или несколько переходов, на-
пример n-GaAs/p-GaAs/p-AlGaAs (лазер на гетероструктуре).
     В качестве зеркал в полупроводниковых лазерах часто
используются просто полированные торцевые поверхности
самого диода (гетероструктуры). В качестве накачки

Страницы