Составители:
Рубрика:
6
Объект Параметр объекта
Величина
параметра
Дополнения и
комментарии
Квантовые ямы Размеры
10-100
Элементы наноэлектроники
Фотонные кристаллы
Период изменения
показателя преломления
100-500
Элементы интегральных
оптических волноводов
Одномерные
волноводные структуры
с фотонными
запрещенными зонами
(брэгговские решетки)
Период изменения
показателя
преломления
100-500
Волоконно-оптические
сенсоры, компоненты
волоконно-оптических
линий связи со
спектральным уплотнением,
оптические линии задержки
Периодические
доменные структуры в
сегнетоэлектрических
кристаллах
Период изменения
спонтанной
поляризации
500-3000
Нелинейно-оптические
устройства преобразования
частоты света
Переход
Джозефсона
Ширина барьера:
высокотемпературные
сверхпроводники,
низкотемпературные
сверхпроводники
~1
30-70
Элементы наноэлектроники
Сверхпроводники
Длина когерентности
куперовских пар
электронов:
высокотемпературные
сверхпроводники,
низкотемпературные
сверхпроводники
0,1-1,5
3-800
Сверхпроводниковый
элемент
Толщина активной
области на
монокристаллической
подложке
100
Элементы наноэлектроники
Датчики
наноперемещений
Чувствительность
5-100
Элементы наномеханики
Клеточная мембрана Толщина
7
Трансмембранный потенциал
Величина Дополнения и
Объект Параметр объекта
параметра комментарии
Квантовые ямы Размеры 10-100 Элементы наноэлектроники
Период изменения Элементы интегральных
Фотонные кристаллы 100-500
показателя преломления оптических волноводов
Волоконно-оптические
Одномерные
сенсоры, компоненты
волноводные структуры Период изменения
волоконно-оптических
с фотонными показателя 100-500
линий связи со
запрещенными зонами преломления
спектральным уплотнением,
(брэгговские решетки)
оптические линии задержки
Периодические
Период изменения Нелинейно-оптические
доменные структуры в
спонтанной 500-3000 устройства преобразования
сегнетоэлектрических
поляризации частоты света
кристаллах
Ширина барьера:
высокотемпературные
Переход
сверхпроводники, ~1 Элементы наноэлектроники
Джозефсона
низкотемпературные
сверхпроводники 30-70
Длина когерентности
куперовских пар
электронов:
Сверхпроводники высокотемпературные
сверхпроводники, 0,1-1,5
низкотемпературные
сверхпроводники 3-800
Толщина активной
Сверхпроводниковый области на
100 Элементы наноэлектроники
элемент монокристаллической
подложке
Датчики
Чувствительность 5-100 Элементы наномеханики
наноперемещений
Клеточная мембрана Толщина 7 Трансмембранный потенциал
6
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
