Электроника. Бурькова Е.В. - 13 стр.

UptoLike

Составители: 

13
5. Построение нагрузочной прямой стабилитрона.
2.1 Краткие теоретические сведения
Стабилитроны это полупроводниковые диоды, работающие в режиме
лавинного пробоя. Они предназначены для стабилизации уровня напряжения в
нелинейных цепях постоянного тока. В качестве стабилитронов используются
плоскостные кремниевые диоды (обозначают КС 168А). При использовании
высоколегированного кремния (высокая концентрация примесей, а, следова-
тельно, и свободных носителей заряда) напряжение стабилизации понижается,
а с уменьшением степени легирования повышается. Напряжение стабилиза-
ции лежит в диапазоне от 3 до 180 В. Вольтамперная характеристика полупро-
водникового стабилитрона изображена на рисунке 2.1.
На характеристике точками А и В отмечены границы рабочего участка.
Положение точки А соответствует напряжению пробоя p-n перехода, которое
зависит от удельного сопротивления исходного материала. Точка В соответст-
вует предельному режиму, в котором на стабилитроне рассеивается максималь-
но допустимая мощность.
Iпр
Uпр
0
Uпроб
Iст max
Iст min
Iст
Uст
А
В
E/R
ERн/(Rн+R)
Pmax
Рисунок 2.1 - Вольтамперная характеристика стабилитрона
При подключении стабилитрона к источнику постоянного напряжения
через резистор получается схема для исследования стабилитрона (рисунок 2.2).
Рисунок 2.2 Схема для исследования стабилитрона
     5. Построение нагрузочной прямой стабилитрона.

     2.1 Краткие теоретические сведения

      Стабилитроны – это полупроводниковые диоды, работающие в режиме
лавинного пробоя. Они предназначены для стабилизации уровня напряжения в
нелинейных цепях постоянного тока. В качестве стабилитронов используются
плоскостные кремниевые диоды (обозначают КС 168А). При использовании
высоколегированного кремния (высокая концентрация примесей, а, следова-
тельно, и свободных носителей заряда) напряжение стабилизации понижается,
а с уменьшением степени легирования – повышается. Напряжение стабилиза-
ции лежит в диапазоне от 3 до 180 В. Вольтамперная характеристика полупро-
водникового стабилитрона изображена на рисунке 2.1.
      На характеристике точками А и В отмечены границы рабочего участка.
Положение точки А соответствует напряжению пробоя p-n перехода, которое
зависит от удельного сопротивления исходного материала. Точка В соответст-
вует предельному режиму, в котором на стабилитроне рассеивается максималь-
но допустимая мощность.
                                               Iпр




                                         Uст
                ERн/(Rн+R)
                                 Uпроб
                                  А                  0         Uпр
                                                     Iст min
                                                     Iст
                             В
                                                     Iст max
                                  Pm




                                                     E/R
                                      ax




          Рисунок 2.1 - Вольтамперная характеристика стабилитрона
      При подключении стабилитрона к источнику постоянного напряжения
через резистор получается схема для исследования стабилитрона (рисунок 2.2).




              Рисунок 2.2 Схема для исследования стабилитрона
                                                                         13