Техника высоких напряжений. Бутенко В.А - 58 стр.

UptoLike

59
ные узловые точки 1…19 на рис. 1) имеют один потенциал, который к
моменту окончания зарядки емкостей равен амплитуде напряжения вы-
соковольтного источника
Т (+U
0
). Потенциал нижних обкладок емко-
стей при их зарядке всегда равен нулю (четные узловые точки 0…20 на
рис. 1).
Т
V
R
ЗАЩ
R
1
R
2
R
3
R
4
R
19
R
20
R
6
R
Ф
R
Р
Z
Н
С
Ф
F
11
F
1
F
2
F
3
C
C
C
C
С
'
П
С
'
П
С
'
П
С
'
П
-
+
+U
0
+U
0
F
10
02
3
4
5
1
6
19
20
Рис. 1. Электрическая схема ГИН: Твысоковольтный трансформа-
тор, R
защ
защитное сопротивление, R
1
…R
20
зарядные сопротивления,
F
1
…F
11
искровые разрядники, Семкость ступени, С'
П
паразитная ем-
кость ступени ГИН относительно земли, R
Ф
фронтовое сопротивление,
С
Ф
фронтовая емкость, R
Р
разрядное сопротивление, Z
Н
сопротивление
нагрузки.
Искровые промежутки F
1
….F
n
обычно выполняются в виде шаро-
вых разрядников (два шарообразных электрода, расположенных на оп-
ределенном расстоянии друг от друга). Расстояния между шарами ис-
кровых промежутков
F
1
….F
n
устанавливаются таким образом, что на-
пряжение
U
0
достаточно для пробоя только первого промежутка F
1
, ос-
тальные промежутки имеют пробивное напряжение на 10…15 % боль-
ше, чем первого промежутка
F
1
. По мере зарядки конденсаторов раз-
ность потенциалов между электродами шарового разрядника
F
1
дости-
гает значения (+
U
0
), и промежуток F
1
пробивается.
Сопротивление искры близко к нулю, поэтому после пробоя про-
межутка
F
1
верхняя обкладка первой емкости принимает потенциал
земли, т. е. потенциал узла 1 становится равным нулю. Узел 2 принима-
ет потенциал (-
U
0
), т. к. паразитная емкость
/
п
C
практически мгновенно
заряжается от емкости
С через небольшое сопротивление искры (доли
ом). Потенциал узла 3 (+
U
0
) меняется относительно медленно, т. к узел