Техника высоких напряжений. Бутенко В.А - 63 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

64
эквивалентная собственная конструктивная емкость ГИН, приведенная
к выходу ГИН,
С
П
(во многих источниках эту емкость называют пара-
зитной).
C
ЭКВ
C
Ф
Z
H
R
ф
R
Σ
L
ЭКВ
L
Н
R
Р
Рис. 5. Схема замещения ГИН с учетом индуктивностей: С
ЭКВ
– экви-
валентная емкость ГИН, L
ЭКВ
– эквивалентная индуктивность ГИН, L
Н
– ин-
дуктивность нагрузки, R
∑
– суммарное активное сопротивление всех соеди-
нительных проводников, включая активное сопротивление искровых каналов.
Эквивалентную индуктивность ГИН L
ЭКВ
можно определить из
опыта короткого замыкания. Схема замещения разрядного контура и
форма волны тока в контуре ГИН будет такой, как представлена на
рис. 6.
C
ЭКВ
R
Σ
L
ЭКВ
T
КЗ
i
0
t
t
0
а б
Рис. 6. Эквивалентная схема ГИН при проведении опыта короткого
замыкания(а) и осциллограмма тока, соответствующая этому опыту (б).

Страницы