Техника высоких напряжений. Бутенко В.А - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

81
U
1
C
Зi
К осциллографу
Z
1
R
2
R
0
R
0
R
0
R
0
C
Зi
C
Зi
L
0
L
0
L
0
L
2
L
0
Рис. 5. Схема замещения омического делителя при измерении перемен-
ных и импульсных напряжений: Z
1
– эквивалентное сопротивление высоко-
вольтного плеча; R
0
– активное сопротивление резисторов, из которых соб-
ран делитель; L
0
– индуктивность отдельных резисторов и их соединитель-
ных проводников; R
2
– сопротивление низковольтного плеча делителя; L
2
–
индуктивность низковольтного плеча делителя; C
зi
– усредненная емкость
отдельных конструктивных элементов делителя.
Паразитная емкость на землю приводит к неравномерному рас-
пределению напряжения вдоль его длины из-за токов, оттекающих на
землю. Это приводит к изменению коэффициента деления. Для умень-
шения влияния паразитной емкости на землю делители снабжают экра-
нами (колоколообразными, тороидальными или экранами по всей длине
– цилиндрическими). Экраны подсоединяются к высоковольтному кон-
цу делителя, а цилиндрический экран соединяется и с землей. При из-
мерении синусоидального напряжения из-за наличия паразитной емко-

Страницы