Исследование полупроводниковых диодов и выпрямителей в "Electronics Workbench". Быковская Л.В - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

1 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ XАРАКТЕРИСТИК ДИОДА И СТАБИЛИТРОНА
Цель работы: изучить принцип действия и основные характеристики
полупроводниковых диода и стабилитрона.
1.1 Краткие теоретические сведения
Полупроводниковый диод представляет собой монокристалл, в кото-
ром созданы области различной проводимости: дырочной (
p
-типа) и элек-
тронной (n -типа). Граница между этими областями называется
p
- перехо-
дом (рисунок 1.1,а). Если к кристаллу приложить напряжение так, чтобы к
n
p
-области был приложен отрицательный потенциал, а к -области – поло-
жительный, то носители, притягиваясь к разноименным полюсам, создадут
около
n
p
- n перехода область, лишенную носителей.
+
+
+
+
+
+
р
- область
п
- область
+
+
+
+
+
+
+
+
р
п
+
+
+
+
+
+
+
+
р
п
I
U
U
b
а
I
U
a)
в)
г)
б)
пр.доп.
пр..
mах
обр.доп.
пр.
пр.
Рисунок 1.1 – Полупроводниковые диоды и их характеристики
Эта область как бы разрывает цепь, и ток в этой цепи отсутствует. Та-
кая полярность напряжения называется запирающей или обратной и соответ-
ствует закрытому состоянию диода (рисунок 1.1,б).
Противоположная полярность напряжения перемещает носители на-
встречу друг другу, и происходит переход (инжекция) носителей в «чужую»
область. В результате во внешней цепи появляется ток. Такая полярность на-
пряжения называется прямой или отпирающей и соответствует открытому
диоду (рисунок 1.1,в). Типичная вольтамперная характеристика полупровод-
никового диода изображена на рисунке 1.1,г. Здесь ветвь
соответствует a0
5
      1 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ XАРАКТЕРИСТИК ДИОДА И СТАБИЛИТРОНА
     Цель работы: изучить принцип действия и основные характеристики
полупроводниковых диода и стабилитрона.
     1.1 Краткие теоретические сведения
       Полупроводниковый диод представляет собой монокристалл, в кото-
ром созданы области различной проводимости: дырочной ( p -типа) и элек-
тронной ( n -типа). Граница между этими областями называется p - n перехо-
дом (рисунок 1.1,а). Если к кристаллу приложить напряжение так, чтобы к
 p -области был приложен отрицательный потенциал, а к n -области – поло-
жительный, то носители, притягиваясь к разноименным полюсам, создадут
около p - n перехода область, лишенную носителей.

     р - область       п - область
          +
a)                     +
          + +
          +            +
                                                                I пр.
            р              п
         +                                          I пр.доп.           а
               +                     +
б)       +    +
         +    +
                       +                      U обр.доп.                      Uпр.
                                         г)
                                              b                    Uпр.mах.
              р            п
     +    +        +
в)        +       +
          +       +

                   +


     Рисунок 1.1 – Полупроводниковые диоды и их характеристики

      Эта область как бы разрывает цепь, и ток в этой цепи отсутствует. Та-
кая полярность напряжения называется запирающей или обратной и соответ-
ствует закрытому состоянию диода (рисунок 1.1,б).
      Противоположная полярность напряжения перемещает носители на-
встречу друг другу, и происходит переход (инжекция) носителей в «чужую»
область. В результате во внешней цепи появляется ток. Такая полярность на-
пряжения называется прямой или отпирающей и соответствует открытому
диоду (рисунок 1.1,в). Типичная вольтамперная характеристика полупровод-
никового диода изображена на рисунке 1.1,г. Здесь ветвь 0a соответствует

                                                                                     5

Страницы