Электроника. Цифровые элементы и устройства. Чье Ен Ун - 84 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТОГУ | Хабаровск

Составители: 

Рубрика: 

83
средней степени интеграции применение МАБИС существенно улучшает
параметры и характеристики разрабатываемых устройств.
Таблица 7. 2
Основные технические характеристики БМК
Тип БМК
Характеристика
КН5501ХМ1 КН5501ХМ4 ТЦ5500 ТЦ14000
Количество внешних
выводов
64 42 84 132
Количество
условных вентилей
в поле БМК
3036 1180 5478 13362
Максимальная
тактовая частота,
МГц
12 15 20 20
Срок
проектирования, мес.
2-3 1 3-5 4-8
Срок изготовления
опытной партии
2 – 4 недели
Параметры и характеристики МАБИС зависят от используемой
элементной базы. Производятся БМК на основе элементной базы ТТЛ,
КМОП, ЭСЛ и др. Весьма перспективными являются БМК на основе
арсенида галлия с задержкой на вентиль до 0,2 нс, к тому же обладающие
радиационной стойкостью.
Современные интегральные технологии позволяют размещать на
БМК не только нескоммутированные
и вентильные логические матрицы,
но также готовые сложные функциональные узлы, например регистры,
счетчики, устройства памяти и др. Кроме рассмотренных цифровых
БМК освоено также производство аналоговых и аналого-цифровых БМК
для решения широкого класса задач. Следует заметить, что развитие
технологии БМК и МАБИС на их основе сильно меняет подходы к
разработке и
производству электронных устройств и систем в отличие от
традиционных. Применение МАБИС весьма перспективно для
осуществления пилотных проектов, при которых в начале разрабатывается
МАБИС того или иного назначения и после изучения спроса производится
выпуск заказных БИС.

Страницы