Электронная и микропроцессорная техника. Чернышев А.Ю - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

64
Возможны 4 режима работы данного регистра:
параллельная загрузка;
сдвиг вправо (в направлении от Q1 к Q4);
сдвиг влево (в направлении от Q4 к Q1);
блокировка.
Синхронная параллельная загрузка осуществляется путем подачи 4
разрядов данных на параллельные входы (D1-D4) и установки сигнала
высокого уровня на обоих управляющих входах S0 и S1. Данные загру-
жаются в соответствующие триггеры и появляются на выходах после
прохождения фронта тактового импульса. Во время загрузки последова-
тельное перемещение данных запрещено.
Сдвиг вправо
осуществляется синхронно с прохождением фронта
тактового импульса при установке на входе S0 сигнала высокого, а на
входе S1 сигнала низкого уровней. В этом режиме данные в последова-
тельной форме поступают на вход сдвига вправо (DR). При установке на
управляющем входе S0 сигнала низкого, а на входе S1 сигнала высокого
уровней
данные синхронно сдвигаются влево, а новые данные поступа-
ют на последовательный вход сдвига влево (DL).
Режим блокировки реализуется при подаче на оба управляющих
входа сигнала низкого уровня. Режим работы ИС следует изменять
только при высоком уровне тактового импульса.
6. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Базовым элементом многих полупроводниковых запоминающих
устройств (ЗУ) является триггер. В предыдущей главе уже рассмотрели
использование регистров сдвига и параллельных регистров в качестве
запоминающего устройства для временного хранения данных. Однако
эти устройства не являются единственными элементами памяти. Систе-
ма памяти микропроцессорного устройства предполагает использование
всего спектра элементов памяти. Рассмотрим три типа полупроводнико
-
вых запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства
(ОЗУ), постоянные запоминающие устройства (ПЗУ), перепрограмми-
руемые запоминающие устройства.
6.1. Интегральные ОЗУ
На рис. 6.1 показано условное графическое обозначение микросхе-
мы 7489 (аналог К155РУ2), представляющей собой ОЗУ емкостью 64
бита. В данном ОЗУ можно хранить 16 слов длиной 4 разряда каждое.

Страницы