Электронная и микропроцессорная техника. Чернышев А.Ю - 82 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

82
+
_
U
x
U
y
U
0
U
i
Рис. 7.12
сопротивление
2
R , создавая на нем разность потенциалов
22
RI
B
. Таким
образом, полное выходное напряжение от воздействия обоих токов
1B
I
и
2B
I будет определяться формулой
123122
/1 RRRIRIU
BBO
.
Поскольку
1B
I
и
2B
I
обычно близки по величине, можно предпо-
ложить, что если бы коэффициенты при
1B
I и
2B
I были равны, то влия-
ние тока смещения почти бы не ощущалось. Исходя из этого, требуем,
чтобы
1232
/1 RRRR
т.е.
123
// RRR
.
В этих условиях выходное напряжение от воздействия токов сме-
щения будет
СД2122
IRIIRU
BBO
.
Поскольку ток сдвига – обычно лишь небольшая часть тока смеще-
ния, можно добиться хорошей компенсации при выполнении указанно-
го требования.
Проблемы, связанные с влиянием тока смещения, будут возникать
лишь в случае очень больших
321
, , RRR . В этой ситуации самым про-
стым является использование ОУ с маленьким током смещения, напри-
мер ОУ с входным каскадом на МОП-транзисторах. Такие ОУ обеспе-
чивают
B
I менее 10 пА.
7.8. Коэффициент усиления синфазного сигнала
Идеальный ОУ чувствителен только к дифференциальному сигналу
i
U , поданному на его входы, и абсолютно не реагирует на синфазное
входное напряжение. Для идеального ОУ можно записать
iOLO
UKU
,
где
xyi
UUU
(рис. 7.12). Однако в реаль-
ном ОУ на выход также будет проходить не-
большая часть синфазного входного напряже-
ния, определяемого формулой
2/
СИНФ yx
UUU
.

Страницы