Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Постоянная времени канала, равная 10
–9
…10
–10
с, много меньше постоянных времени внешних це-
пей транзистора, которыми и определяются частотные характеристики МДП-ИМС.
Рассмотренные параметры МДП-транзистора отражены в эквивалентной схеме рис. 8, а, где через
R
ип
и R
сп
обозначены сопротивления закрытых p-n-переходов исток-подложка и сток-подложка. Для
аналитических расчетов в статическом режиме можно использовать упрощенную схему (рис. 8, б), по-
лученную путем объединения выводов истока и подложки в пренебрежении инерционностью канала.
Рис. 8 Эквивалентные схемы МДП-транзисторов:
а – полная; б – упрощенная (для аналитических расчетов)
6 РЕЖИМЫ РАБОТЫ И СВЯЗЬ МЕЖДУ КОНСТРУКТИВНЫМИ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ
ПАРАМЕТРАМИ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
В ЦИФРОВЫХ ИМС
Цифровые МДП-ИМС предназначены для выполнения определенных логических функций. Базовой
логической схемой для построения ИМС является инвертор, выполняющий логическую функцию ин-
вертирования входного сигнала (операцию НЕ).
Для установления связи между конструктивными и электрическими параметрами МДП-
транзисторов цифровых ИМС малой и средней степени интеграции достаточно рассмотреть статиче-
ский и динамический режимы работы трех наиболее распространенных инверторов, которые отличают-
ся схемой включения нагрузочного транзистора. Схемы, где нагрузочный транзистор выполняет функ-
цию резистора, относят к инверторам с пассивной нагрузкой, а схемы, где он выполняет функцию ак-
тивного элемента, – к инверторам с активной нагрузкой.
6.1 СТАТИЧЕСКИЙ РЕЖИМ РАБОТЫ ИНВЕРТОРА
С ПАССИВНОЙ НАГРУЗКОЙ
Простейшей инвертирующей схемой на МДП-транзисторе является инвертор с пассивной нагруз-
кой (рис. 9). В нем в качестве нагрузки используется МДП-транзистор Т
1
(в дальнейшем просто нагру-
зочный транзистор) с каналом такого же типа, что и ключевой транзистор Т
2
.
Рис. 9 Схема инвертора с
пассивной нагрузкой
Рис. 10 Вольт-амперные
характеристики нагрузочно-
го
транзистора:

Страницы