Конструирование и технология полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах. Чернышова Т.И - 9 стр.

UptoLike

Перекрытие областей стока (истока)
алюминиевым (кремниевым) затво-
ром I, мкм
2,0 0,8 1,0
Минимальное расстояние от края
контактного окна до края стока (ис-
тока), диффузионного проводника
кремниевого затвора а, мкм
4,0 2,0 2,0
Минимальный размер контактного
окна к стоку (истоку), диффузион-
ному проводнику, кремниевому за-
твору с×с, мкм
6×6 5×5 5×5
Минимальное расстояние от затвора
до края контактного окна к истоку
(стоку) d, мкм
10,0 4,0 4,0
Перекрытие области канала затво-
ром на его конце е, мкм
3,0 2,0
До ох-
ранного
кольца
(Al) 2,0
(Si) 5,0
n-канальный МДП-транзистор с
кремниевым затвором
Минимальное расстояние между со-
седними стоковыми (истоковыми)
областями и диффузионными про-
водниками f, мкм
10,0 5,0 5,0
Продолжение табл. 1
Вид технологии
Чертеж топологии
Наименование элемента топологии,
наименование и обозначение
размера
p–МДП n-МДП КМДП
Минимальная ширина диффузион-
ного проводника и охранного коль-
ца g, мкм
8,0 5,0 5,0
Минимальное расстояние между
кремниевыми затворами k, мкм
4,0 4,0
Минимальное расстояние между
алюминиевыми затворами и между
проводниками металлизации s, мкм
8,0 5,0 5,0
Минимальная ширина проводников
металлизации j, мкм
8,0 5,0 5,0
Перекрытие проводником металли-
зации контактного окна ко всем об-
ластям t, мкм
3,0 2,0 2,0
Расстояние от края кристалла до
контактной площадки u, мкм
50 50 50
Минимальный размер контактной
площадки для ручной (числитель) и
автоматизированной (знаменатель)
термокомпрессионной сварки υ×υ,
мкм
50×50 /
150×150
50×50 /
150×150
50×50 /
150×150
Диффузионные проводники
Поликремниевые
проводники
Проводники
металлизации
Минимальное расстояние между
контактными площадками для руч-
ной (числитель) и автоматизирован-
ной (знаменатель) термокомпресси-
онной сварки ω, мкм
70 / 50 70 / 50 70 / 50