ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
Полевые транзисторы с управляющим p-n-пере-
ходом (P Channel JFET). В р-канальном полевом транзи-
сторе затвор состоит из n-области, окружённой р-каналом.
Полевые транзисторы на основе металлооксидной плёнки
Управление током, протекающим через полевой транзистор на ос-
нове металлооксидной плёнки (МОП-транзистор или MOSFET), также
осуществляется с помощью электрического поля, прикладываемого к
затвору.
В Electronics Workbench имеется восемь типов МОП-транзисторов:
−
четыре типа МОП-транзисторов со встроенным каналом;
−
четыре типа МОП-транзисторов с индуцированным каналом.
МОП-транзистор со встроенным каналом
Трёхвыводной n-канальный МОП-транзистор
со встроенным каналом (3-Terminal Depletion
N-MOSFET).
Трёхвыводной p-канальный МОП-транзистор
со встроенным каналом (3-Terminal Depletion
P-MOSFET).
Четырёхвыводной n-канальный МОП-транзис-
тор со встроенным каналом (4-Terminal Depletion
N-MOSFET).
Четырёхвыводной p-канальный МОП-транзис-
тор со встроенным каналом (4-Terminal Depletion
P-MOSFET).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »