Проектирование фильтров на поверхностно-акустических волнах. Чернышова Т.И. - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

30 мм, точность позиционирования отдельных структур преобразователей относительно друг друга на общем
шаблоне фильтра от ±1 до ±5 мкм, точность выполнения шага электродов в структурах не хуже 0,5 % длины
волны, т.е. от ±1,5 до ±0,05 мкм, ширина b
п
нерасщепленных электродов от 75 до 2,5 мкм, расщепленных − от
36 до 1,25 мкм при точности не хуже ±(5…8) % от b
п
, неровность края электродов менее 1 % от b
п
, неплоскост-
ность рабочей поверхности не хуже 0,05…0,1 мкм/мм во избежание дифракции светового луча при экспониро-
вании, оптическая плотность непрозрачных участков не менее 2 ед., по денситометру МД-2, оптическая плот-
ность вуали не более 0,05 ед. Кроме того, фотошаблоны должны иметь минимальное количество дефектов (ца-
рапин, пятен, ореолов, темных точек и т.п.), а также отвечать требованиям совмещаемости различных тополо-
гических рисунков всех входящих в комплект шаблонов.
В настоящее время можно выделить три основных метода изготовления фотошаблонов: трехступенчатый;
двухступенчатый; одноступенчатый (рис. 6). Каждый из этих методов может иметь несколько технологических
вариантов, определяющихся возможностями технологического оборудования. Трехступенчатый метод до на-
стоящего времени имеет наибольшее применение, так как обеспечен технологическим оборудованием.
Изготовление оригинала, представляющего собой единичное увеличенное изображение модуля фотошаб-
лона, производится на автоматических координатографах, обеспечивающих точность вырезания на майларовой
пленке, соответственно, ±50 и ±25 мкм, что уже на первом этапе накладывает определенные ограничения на
точность изготовления фотошаблонов.
Рис. 6. Методы изготовления фотошаблонов
Второй этап трехступенчатого метода – изготовление промежуточного фотошаблона на редукционных ка-
мерах.
Для фильтров с допусками на размеры элементов ±5 мкм этот этап может быть завершающим, так как
мультипликация отдельных модулей может осуществляться на редукционных камерах с указанной выше точ-
ностью. Третий этап − изготовление эталонного фотошаблона методом мультипликации на фотоповторителях.
Основным недостатком трехступенчатого данного метода является большая трудоемкость, хотя он с успе-
хом применяется при изготовлении фотошаблонов фильтров на частоты до 20…100 МГц.
Двухступенчатый метод исключает этап изготовления оригинала фотошаблона, а одноступенчатый – еще
и этап изготовления промежуточного фотошблона.
3.5. Монтаж фильтров на поверхностно-акустических волнах
После изготовления проводящей структуры фильтра ПАВ и контроля ее геометрических размеров обычно
следуют операции предварительной проверки фильтра на функционирование, установки в корпус, приварки
выводов, герметизации и окончательного контроля механических и электрических параметров.
Изготовленные подложки герметизируются в атмосфере инертного газа или в вакууме. Это предохраняет
от влаги (которая может вызвать коррозию металла) и от отравления поверхности (которое приводит к затуха-
нию поверхностных волн). Небольшие устройства помещают в стандартные корпуса, например фильтры ПАВ
на частоты до 150 МГц и с длиной звукопроводов до 30…35 мм обычно размещают в металлостеклянные кор-
пуса 153.15-1, 155.15-1, 157.29-1 (табл. П4) для тонкопленочных ИМС.
Размещение же крупногабаритных звукопроводов длиной более 50…60 мм производится в специальных
корпусах, для которых указанные операции специфичны и здесь рассматриваться не будут.
Для уменьшения механических напряжений, которые влияют на характеристики устройства, подложки
часто приклеивают эластичным клеем. Электрические соединения обычно выполняют золотой проволокой
диаметром 25…40 мкм, применяя термокомпрессию или ультразвуковую сварку. В некоторых случаях, когда
требуется термостабилизация, корпус размещают внутри термостата.
Из вышесказанного можно сделать вывод, что перечисленные операции установки в корпус, монтажа и
герметизации больших отличий от аналогичных процессов в производстве тонкопленочных ИМС не имеют
(табл. П5). Исключением будет являться только ряд приведенных ниже рекомендаций по выбору клеев-
поглотителей.
3.6. Рассеяние и поглощение поверхностных акустических волн

Страницы