Радиоматериалы и радиокомпоненты. Чернышова Т.И - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

41
Рис. 8.2. Типовая температурная зависимость позистора
В области резкого увеличения сопротивления
α
T
позистора приблизительно постоянен. Если на участке от R
ref
до R
max
из-
вестны два значения сопротивления, например
R
1
и R
2
(R
2
> R
1
), которые соответствуют двум температурам Т
1
и Т
2
(Т
2
> Т
1
), то
для
α
T
будет справедливо:
12
12
)/ln(
TT
RR
T
−
=α
. (8.5)
В пределах этого температурного диапазона, зная сопротивление для некоторой температуры, можно рассчитать каким
станет сопротивление при другой температуре:
R
2
= R
1
·exp[αT(T
2
– T
1
)] (8.6)
С помощью формулы (8.6) может быть рассчитано сопротивление позистора для выбранной температуры на основании
его справочных данных. В этом случае вместо сопротивления
R
1
и температуры Т
1
используют R
ref
и Т
ref
, соответственно.
Позисторы нашли широкое применение в схемах ограничения тока, в качестве пускового реле двигателей компрессоров
холодильников, в качестве нагревательных элементов фумигаторов, зеркал автомобилей и других устройств, а также как
высокочувствительный датчик температуры. Конструктивное исполнение позисторов такое же, как у NTC-термисторов.
Маркировка содержит буквенно-цифровой код, обозначающий тип и номинальное сопротивление (при +25 °С) с допуском в
процентах. Отечественные позисторы имеют серийные обозначения СТ5; СТ6; СТ8 и т.д. Обозначение РTC-термисторов
(Siemens& Matsushita) начинается с букв А, С, D, E, M или J c последующим серийным номером, например: A19, J50 (позис-
торы для пуска электродвигателей), С111 (пусковой резистор для газоразрядных ламп).
Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если
приложенное напряжение увеличивается сверх определённого значения. Вольтамперная характеристика варистора симмет-
рична относительно начала осей координат, рис. 8.3.
Варисторы изготавливают методами керамической технологии из карбида кремния или оксидов металлов. Уменьшение
R с ростом напряжения связано с падением сопротивления контактов между зёрнами SiC или оксида. Это происходит вслед-
ствие нелинейного роста тока через
p-n-переходы, образующиеся на этих контактах, в результате автоэлектронной эмиссии
из острых участков зёрен.
25 Т
min
Т
re
f
T
1
T
2
Т
max
Т
, °С
lg
R
R
max
R
2
R
1
R
re
f
R
N
R
min

Страницы