Технические измерения и приборы. Часть 1. Измерение теплоэнергетических параметров. Чистофорова Н.В - 99 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГТА | Ангарск

Составители: 

Рубрика: 

1
2
3 4
5
Рис. 2.33. Структурная схема тепловизора:
1 – линза; 2 – фотоприемник; 3 – электронный усилитель; 4 - микро-
процессор; 5 – блок отображения информации
Инфракрасное излучение концентрируется системой специальных
линз 1 и попадает на фотоприемник 2, который избирательно чувствителен
к определенной длине волны инфракрасного спектра. Попадаемое на него
излучение приводит к изменению электрических свойств фотоприемника,
регистрируется и усиливается электронным усилителем 3. Полученный
сигнал подвергается цифровой обработке в микропроцессорном блоке 4 и
это значение передается на блок отображения информации 5, представ-
ляющий собой экран жидкокристаллического дисплея. Блок отображения
информации имеет цветовую палитру, в которой каждому значению сигна-
ла присваивается определенный цвет. После этого на экране монитора по-
является точка, цвет которой соответствует численному значению инфра-
красного излучения, которое попало на фотоприемник. Сканирующая сис-
тема (зеркала или полупроводниковая матрица) проводит последователь-
ный обход всех точек в пределах поля видимости прибора, в результате
получается видимая картина инфракрасного излучения объекта. Чувстви-
тельность детектора к тепловому излучению тем выше, чем ниже его соб-
ственная температура, поэтому его помещают в специальное термостати-
рующее холодильное устройство. Один из способов охлаждения осущест-
вляется посредством элементов Пельтье (полупроводники, дающие пере-
пад температур (тепловой насос) при пропускании через них тока).
Таким образом, на экране тепловизора видны значения мощности
инфракрасного излучения в каждой точке поля зрения тепловизора, ото-
браженные согласно заданной цветовой палитре (черно-белой или цвет-
ной).
Высокая чувствительность тепловизоров реализуется благодаря на-
личию высокочувствительных полупроводниковых приемников излучения
из антимонида индия InSb, ртуть-кадмий-теллура Hg-Cd-Te и др.
99
                               2         3          4          5
                       1
                 Рис. 2.33. Структурная схема тепловизора:
       1 – линза; 2 – фотоприемник; 3 – электронный усилитель; 4 - микро-
                   процессор; 5 – блок отображения информации

      Инфракрасное излучение концентрируется системой специальных
линз 1 и попадает на фотоприемник 2, который избирательно чувствителен
к определенной длине волны инфракрасного спектра. Попадаемое на него
излучение приводит к изменению электрических свойств фотоприемника,
регистрируется и усиливается электронным усилителем 3. Полученный
сигнал подвергается цифровой обработке в микропроцессорном блоке 4 и
это значение передается на блок отображения информации 5, представ-
ляющий собой экран жидкокристаллического дисплея. Блок отображения
информации имеет цветовую палитру, в которой каждому значению сигна-
ла присваивается определенный цвет. После этого на экране монитора по-
является точка, цвет которой соответствует численному значению инфра-
красного излучения, которое попало на фотоприемник. Сканирующая сис-
тема (зеркала или полупроводниковая матрица) проводит последователь-
ный обход всех точек в пределах поля видимости прибора, в результате
получается видимая картина инфракрасного излучения объекта. Чувстви-
тельность детектора к тепловому излучению тем выше, чем ниже его соб-
ственная температура, поэтому его помещают в специальное термостати-
рующее холодильное устройство. Один из способов охлаждения осущест-
вляется посредством элементов Пельтье (полупроводники, дающие пере-
пад температур (тепловой насос) при пропускании через них тока).
      Таким образом, на экране тепловизора видны значения мощности
инфракрасного излучения в каждой точке поля зрения тепловизора, ото-
браженные согласно заданной цветовой палитре (черно-белой или цвет-
ной).
      Высокая чувствительность тепловизоров реализуется благодаря на-
личию высокочувствительных полупроводниковых приемников излучения
из антимонида индия InSb, ртуть-кадмий-теллура Hg-Cd-Te и др.




                                    99

Страницы