Основы производства и обработки металлов. Дембовский В.В - 29 стр.

UptoLike

29
проточной водой модель изложницы. Вначале заливают небольшое ко-
личество гипосульфита, покрывающее лишь дно сосуда. После затвер-
девания этой порции заливают весь оставшийся гипосульфит.
Сразу после заливки следят за нарастанием затвердевшего слоя и
через равные интервалы времени 2 ,,, 5 мин измеряют и записывают
его толщину. Измерение производят на середине высоты слитка с по-
мощью линейки отдельно для каждой стороны кристаллизующегося
слитка. При этом необходимо особо отметить время, истекшее от мо-
мента заливки до начала кристаллизации слитка на половине его высо-
ты, толщину корковой зоны, моменты начала образования столбчатых
кристаллов и зон крупных равноосных кристаллов, протяженность этих
зон. Следует отметить также наличие восходящих и нисходящих потоков
жидкости, с какого момента они стали заметными, наблюдалось ли об-
ламывание и передвижение кристаллов.
После окончания процесса кристаллизации модель изложницы раз-
бирают и извлекают из нее слиток. Поверхность слитка протравливают
дистиллированной водой и зарисовывают его структуру, указывая про-
тяженность соответствующих зон для половины высоты слитка. На схе-
ме должно быть показано также расположение усадочной раковины и ее
размеры. Затем модель собирают и всю последовательность операций
производят для следующей, указанной руководителем температуры.
Содержание отчета
1.Кратко изложить причины образования различных кристал-лических
зон слитка, привести схему модели изложницы, описать последователь-
ность проведения опыта.
2.Представить таблицу по форме 5 нарастания толщины затвердевшего
слоя для опытов, проведенных при разных температурах.
Форма 9
Толщина δ, см корочки через время τ, мин
Температу-
ра заливки,
0
С
3
6
9
12
Примечания
K,
1
2
см / мин
В таблице указать среднюю арифметическую толщину корочки для
двух сторон. В примечании отметить время, истекшее от момента залив-
ки до начала кристаллизации на половине высоты слитка, момент нача-
ла образования столбчатых кристаллов и толщину затвердевшей короч-
ки из мелких равноосных кристаллов, момент начала образования зоны