ВУЗ:
Составители:
16
когда P
s
=0. При этом изменяются симметрия кристалла, параметры
элементарной ячейки, а значения диэлектрических, упругих,
пьезоэлектрических и других характеристик имеют резкие максимумы и
минимумы.
При спонтанной поляризации сегнетоэлектриков спонтанная
поляризованность
P
s
складывается из электрических моментов P
i
элементарных
ячеек кристалла, имеющихся во множестве в единице объема:
∑
=
=
1V
is
PP
При температуре выше точки Кюри моменты P
i
равны нулю или
направлены хаотично (при наличии дипольной поляризации), так что
∑
= 0
i
P
.
Понижая температуру ниже точки
Тк дождемся появления электрических
моментов, которые выстраиваются в строгом порядке.
Когда диэлектрик находится в плоском конденсаторе с расстоянием
между обкладками
h и напряжением U, напряженность электрического поля,
действующего на частицу внутри диэлектрика, не равна напряженности
внешнего поля
Е=U/h, так как она, поляризуя окружающие частицы,
превращает их в диполи, каждый из которых обладает собственным
электрическим полем. Напряженность локального (т.е. местного) поля равна
векторной сумме напряженностей внешнего электрического поля и полей всех
диполей:
∑
+=
i
EEF
Напряженность поля i-го диполя E
i
прямо пропорциональна его
дипольному моменту P
i
. Сумма E
i
пропорциональна
∑∑
== PEетPP
ii
β
..,
Коэффициент пропорциональности β называют фактором Лоренца. Для
кубических кристаллов и изотропных сред
)3/(1
0
ε
=β
, а для кристаллов других
структур порядка этой величины.
Напряженность локального поля можно записать:
PEF
β
+=
Произведение
β
P характеризует дипольное взаимодействие между
отдельными структурными единицами. Дипольный момент отдельной
структурной единицы определяется именно локальным, а не внешним полем:,
P=
α
F где α - поляризуемость. Отсюда дипольный момент единицы объема,
содержащей N структурных единиц:
PNENFNPPN
αβ
α
α
+
===
Тогда
,
1
E
N
N
P
αβ
α
−
=
и диэлектрическая восприимчивость
αβ
εα
χ
N
N
−
=
1
/
0
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
