Руководство к лабораторным работам по курсам "Материаловедение и материалы электронных средств", "Материалы и элементы электронной техники", "Материалы электронной техники". Джуплин В.Н - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

28
только за счет увеличения числа спинов, ориентирующихся параллельно.
Данный процесс называют парапроцессом по аналогии с намагничением
парамагнетиков
Особо оговорим важную деталь: обсуждавшиеся выше магнитные домены
не есть кристаллики микроструктуры металла. Магнитные домены
формируются независимо от микрокристаллической структуры
ферромагнетиков,
Основные магнитные характеристики.
Магнитный момент тела М равен произведению намагниченности I на
объем тела V:
VIM ⋅=
Способность вещества изменять свой магнитный момент под действием
внешнего магнитного поля напряженностью Н характеризуется магнитной
восприимчивостью χ:
HI ⋅=
χ
Результирующее магнитное поле в веществе называют магнитной
индукцией В. Она связана с напряженностью внешнего магнитного поля Н и
намагниченность вещества I соотношением
IHB
π
4+=
Способность вещества менять свою индукцию В при воздействии
внешнего поля Н характеризуется магнитной проницаемостью μ:
HB ⋅=
μ
Магнитная проницаемость связана с магнитной восприимчивостью
соотношением
14 +=
πχ
μ
Размерности перечисленных характеристик следующие: В – Гс, Н – Э, I –
Гс, μ - Гс/Э, χ - Гс/Э.
А теперь вернемся к существу нашей работы.
Для изготовления сердечников трансформаторов катушек индуктивности
и других электромагнитных устройств применяются сильномагнитные
материалы (
μ
>>1). Такими материалами являются ферромагнетики и ферриты,
кривая намагничивания которых показана на рис.3.5. Из кривой
намагничивания можно
рассчитать и построить зависимость магнитной проницаемости от
напряженности поля (рис. 3.7). Магнитная проницаемость, измеряемая в слабых
полях (при
H→0), называется начальной. Начальная магнитная проницаемость
является важнейшей характеристикой магнитомягких материалов. При
увеличении напряженности поля магнитная проницаемость сначала растет, что
связано со сверхлинейной зависимостью смещения доменных границ от
Н и с
увеличением вклада процессов вращения. При напряженности поля H ,
соответствующего участку 2–3 на рис.3.5 магнитная проницаемость

Страницы