ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Для уменьшения электрического и магнитного влияния на внешнее про-
странство активно применяются экраны. В технике связи и радиотехнике эк-
раны оцениваются через экранное затухание А
Э
, характеризующее величину
затухания, вносимого экраном. Для магнитного поля затухание экранирова-
ния определяется по формуле (2.25) (при n=1):
∆++∆=
MЭДЭДЭД
M
M
Н
Э
thrHrJrj
Z
Z
chА
κκκπκκ
)()(
2
1
1lg20lg20
11
0
(2.25)
Для электрического поля (2.26) (при n=1):
∆++∆=
MЭДЭДЭД
M
M
Е
Э
thrHrJrj
Z
Z
chА
κκκπκκ
)(')('
2
1
1lg20lg20
11
0
, (2.26)
где
ωµσκ
j
M
=
– коэффициент распространения в металле (коэффици-
ент вихревых токов);
µεωκ
=
Д
– коэффициент распространения в диэлек-
трике; ∆ – толщина экран а ; r
Э
– радиус экрана; J
1
и H
1
– цилиндрические
функции первого (Бесселя) и третьего (Хенкеля) родов; J
1
' и H
1
' – производ-
ные этих функций;
εµ
=
0
Z
– волновое сопротивление диэлектрика пло-
ской волны;
σωµ
jZ
M
=
– волновое сопротивление металла.
Экраны работают в трех режимах:
низкочастотная область – электромагнитостатический режим;
высокочастотная область – электромагнитный режим;
сверхвысокочастотная область – волновой режим.
Электростатическое и магнитостатическое экранирование имеют прин-
ципиальное различие. Электромагнитное экранирование состоит в замыка-
нии электрического поля на поверхности металлической массы экрана и пе-
редачи электрических зарядов на землю или корпус прибора. Магнитоста-
тическое экранирование основано на замыкании магнитного поля в толще
экрана, происходящее вследствие его повышенной магнитопроводности.
В таблице 2.5 приведены результаты экранирующего действия оболочек
из меди, стали, алюминия и свинца для различных типов волн.
Таблица 2.5
Экранирующее действие оболочек для различных типов волн
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »