Акустоэлектронные устройства. Дмитриев В.Ф. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

9
где I
k
– ток в kм электроде (знак I
k
с учетом направления, например,
плюс для электродов, подключенных к верхней шине и минус – к
нижней шине), z
k
– координата центра kго электрода, k = w/V
ПАВ
.
Зная входную проводимость преобразователя, можно рассчитать
потери на преобразование встречноштыревым преобразователем:
Г
ВШП 10
22
ГВШП
2()
() 10log , Дб,
[() ][ 1/( )]
A
Ac
YG
A
GY C L
12
3
34
56
37 73 8 3
56
9
(8)
где Y
Г
– проводимость генератора (или нагрузки для приемного пре
образователя).
Амплитудночастотная характеристика (АЧХ) A(w) устройства на
ПАВ типа трансверсального фильтра или линии задержки определяет
ся потерями на преобразование на входном – A
ВПШ1
(w) и выходном –
A
ВПШ2
(w) преобразователях и потерями при распространении ПАВ меж
ду преобразователями и может быть рассчитана по соотношению
ВШП1 ВШП2
() () () (), Дб,AA A T1 2 13 13 1 (9)
где T(w) = 10log
10
{exp[–a(w)l]} – потери на распространение ПАВ меж
ду преобразователями; a(w) – постоянная затухания ПАВ на частоте
w; l – расстояние между преобразователями.
Потери при распространении ПАВ в кристалле в основном обус
ловлены тепловыми колебаниями кристаллической решетки. Напри
мер, для ниобата лития YZсреза экспериментально измеренная их
частотная зависимость хорошо аппроксимируется функцией
1
2
1,9 6
11
ПАВ
( ) 0,19( / ) 0.88( / ) 10 , Дб,
l
T
V
34 3 3 5 33
(10)
а для кварца ST, Xсреза аналогичная зависимость имеет вид
1
2
26
11
ПАВ
() 0,47(/ ) 2,62(/ ) 10, Дб,
l
T
V
34 33 5 33 (11)
где w
1
– частота, равная 1 ГГц (10
9
Гц).
Потери T(w) существенны для устройств на ПАВ типа линии за
держки, а в фильтрах на ПАВ ими, как правило, можно пренебречь.
Выбор параметров ВШП
Процедура проектирования устройства на ПАВ, не имеющего мно
гополосковых ответвителей и отражательных структур, включает
выбор материала звукопровода и расчет (выбор) основных парамет
ров преобразователей.

Страницы