ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
Физические процессы в АД наглядно отражает схема замещения (рис 1.10.)
Рис.1.10. Схема замещения
Параметры схемы замещения в общем случае зависят от режима
работы АД. С увеличением нагрузки увеличивается поток рассеяния и в
связи с насыщением отдельных участков магнитопровода полями
рассеяния уменьшаются индуктивные сопротивления x
1
и x
2
, в то же время
из-за увеличения К
E
уменьшается степень насыщения магнитной цепи по
пути основного потока, увеличивается x
12
. Изменение скольжения
вызывает изменение r
2
и x
2
, обусловленное поверхностным эффектом.
Однако все указанные изменения можно учесть, взяв за исходные
параметры в номинальном рабочем режиме.
Активное сопротивление обмотки статора
Активное сопротивление r
1
определяется по основной расчетной
формуле
ЭЛ
V
q
L
r
1
1
ρ
= , (1.76)
где ρ
v
─ удельное сопротивление материала обмотки статора при расчетной
температуре, Ом·м.
Для класса нагревостойкости изоляции F расчетная температуры берется
115°С, тогда для меди ρ
115
= 10
-6
/41 Ом·м.
.
1
I
1
r
12
r
S
r
′
2
12
x
1
x
′
2
x
.
0
I
′
−
.
2
I
.
1
U
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »
