ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
23
значения ϕ
з
(В), равного произведению тока, стекающего в землю I
з
, на со-
противление, которое этот ток встречает на своём пути R
з
(Ом)
ϕ
з
= I
з
R
з
.
Однако при этом возникают и отрицательные явления: появление по-
тенциалов на заземлителе и находящихся в контакте с ним металлических
частях, а также на поверхности грунта вокруг места стекания тока в землю.
Характер распределения потенциалов на поверхности земли мож-
но оценить, рассмотрев случай стекания тока I
з
(А) в землю через наибо-
лее простой заземлитель – полушар радиусом r (м). Считаем, что земля во
всём своём объёме однородна, т.е. в любой точке обладает одинаковым
удельным сопротивлением ρ (Ом⋅м). В этом случае ток в земле будет рас-
текаться во все стороны по радиусам полушара и плотность его в земле на
расстоянии х от центра полушара будет (А/м
2
).
В объёме земли, где проходит ток, возникает так называемое «поле
растекания тока». Теоретически оно простирается до бесконечности. Од-
нако в реальных условиях уже на расстоянии 20 м от заземлителя, сечение
слоя земли, по которому проходит ток, оказывается столь большим, что
плотность тока здесь практически равна 0. Следовательно, поле растека-
ния можно считать распространяющимся лишь на расстояние 20 м от за-
землителя.
При постоянном токе и при переменном с частотой 50 Гц поле расте-
кания тока в проводящей однородной среде можно рассматривать как
стационарное электрическое поле, напряжённость которого Е (В/м) связа-
на с плотностью тока δ соотношением δ = Е/ρ, являющимся законом Ома
Рис. 1.2.2. Распределение
потенциала на поверхности
земли вокруг полушарового
заземлителя
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
