Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 143 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

143
причем емкость ВШП определяется по соотношению (3.15):
ВШП 2
1
0,5 .
N
nn
n
CWC
=
=
∑
Для модели однородного распределения поверхностного тока с
учетом изменяющейся апертуры электродов вдоль ВШП для J
K
(k)
можно получить
[]
=
κ= κ κ
∑
00
1
() exp( )sin /4,
N
nn
Knn
n
WI
Jjzcp
WI
(6.39)
где I
n
– ток в n'м электроде; z
n
– координата центра n'го электрода,
W
0
– максимальная апертура электродов в ВШП.
Зная входную проводимость преобразователя, достаточно просто
рассчитать потери на преобразование ВШП (или модуль коэффици'
ента передачи), используя полученное ранее соотношение (3.19):
⎡⎤
ω
⎢⎥
ω=
⎢⎥
ω+
⎣⎦
Г
ВШП 10
2
вх Г
2()
( ) 10log , дБ,
()
A
YG
A
YY
где
ω≈ ω+ω
вх ВШП
() () .
A
YGjC
Модуль коэффициента передачи устройства в целом находится по
соотношениям (3.21) – (3.23), а фазочастотную характеристику уст'
ройства можно рассчитать по соотношению
{
}
{}
{
}
{}
κκ
ϕκ = +
κκ
вх
вх
Im () Im ()
( ) arctg arctg .
Re ( ) Re ( )
K
K
JY
JY
(6.40)
Как видно из соотношения (3.14), активная часть входной прово'
димости ВШП увеличивается с частотой. Кроме того, реактивная
часть входной проводимости также увеличивается с частотой. По'
этому, для того чтобы получить плоскую вершину потерь на преобра'
зование ВШП в полосе рабочих частот, апертура электродов ВШП
W
n
должна меняется от электрода к электроду (см. рис. 6.14) соглас'
но приближенному соотношению
≈ ω +ω +ω
222 222
0
0ГВШПГ0ВШП
() ( ) / ,
fn n
n
f
Wz W Y C Y C
f
(6.41)
где
ПАВ
/2 .
nn
fV p=
Уточнить вид зависимости W
f
(z
n
) необходимо расчетным путем,
поскольку (6.41) является приближенным выражением.

Страницы