Устройства интегральной электроники: Акустоэлектроника. Основы теории, расчета и проектирования. Дмитриев В.Ф. - 147 стр.

UptoLike

Составители: 

147
от n'го и m'го отражателей; ξ
m
и ξ
n
– коэффициенты прохождения ОС до
m'го и n'го отражателей; z
n
, z
m
координаты центра n'го и m'го отра'
жателей; β=κjα(ω), κ=ω / V
z
, V
y
, V
z
– скорости ПАВ в направлении y
и z соответственно; α(ω) потери в материале; y = y
1
y
2
.
При прохождении ПАВ через каждый отражатель ОС имеет место
процесс отражения и рассеяния. С учетом частичного отражения ПАВ
и преобразования части энергии ПАВ в объемные волны коэффици'
енты прохождения ПАВ до n'го и m'го отражателей:
2
1
() [1 ()]1 ().
m
mkk
k=
ξω= −ζω ρω
(6.48)
Для отражательной структуры в виде канавок величина
ςω()
k
,
определяющая долю мощности, преобразованную в объемные волны
на k'й канавке:
2
() 1 exp[1 ()( /)],
kkk
hςω= ηω λ (6.49)
где η
k
(ω) – коэффициент, определяющий долю мощности, преобразо'
ванной на k'й канавке в объемные волны, его зависимость от относи'
тельной частоты для ниобата лития YZ'среза приведена на рис. 6.17;
h
k
– глубина k'й канавки; λ – длина волны ПАВ на частоте f.
Коэффициент отражения при падении ПАВ на отражательный
элемент в виде канавки под углом, близким к 45°, приведенный к
центру канавки:
() 2 sin( /2),
n
nn
h
jC aρκ= κ
λ
(6.50)
Рис. 6.16. К определению параметров расчета ОС
y
z
z
1 n
zz
N
W
m
n
W
γ
z
m
y
y = y
n
m
y = y
1
2
m
n